關于BJT和MOSFET開關操作差異的解釋。
(1)基極電壓升高時,BJT的基極電流開始流動,集電極電流與基極電流成正比。大約從0.7V開始發生電流流動。這個電壓被稱為基極-發射極閾值電壓(VBE)。為了使集電極電流流動,需要提供基極電流,并且需要連續的驅動功率。(需要低驅動電壓、連續驅動功率)
(2)由于MOSFET根據柵極-源極電壓形成一個溝道,這個電壓必須是一定的或更高的電壓。一旦溝道形成,導通狀態繼續,漏極電流繼續流動,因此所需的驅動功率很小。通過釋放積聚在柵極中的電荷并移除溝道,它將轉變為關閉狀態。(驅動電壓高于BJT,驅動功率小)
圖3-5(a)BJT的開關操作
圖3-5(b)MOSFET的開關操作
審核編輯:湯梓紅
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