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我們?cè)谟?jì)算開(kāi)關(guān)電源的時(shí)候，同步控制器的MOSFET下管的體二極管在死區(qū)時(shí)間的時(shí)候，會(huì)起作用。實(shí)現(xiàn)死區(qū)時(shí)間的續(xù)流。我們?cè)谟?jì)算開(kāi)關(guān)電源的下管的損耗的時(shí)候，需要計(jì)算這個(gè)體二極管的損耗。

二極管導(dǎo)通損耗

如果是同步控制器，我們需要計(jì)算下管的體二極管在死區(qū)時(shí)間的導(dǎo)通損耗。如果是非同步控制器，我們則需要計(jì)算二極管的續(xù)流時(shí)間的所有損耗。

二極管功耗，與正向?qū)妷骸㈤_(kāi)關(guān)頻率、死區(qū)時(shí)間、平均電流、相數(shù)有關(guān)。

所以我們需要選擇，體二極管的導(dǎo)通電壓更小的MOSFET；死區(qū)時(shí)間更小的控制器MOSFET組合；適當(dāng)選擇開(kāi)關(guān)頻率。

互補(bǔ)PWM的死區(qū)時(shí)間

相對(duì)于PWM來(lái)說(shuō)，死區(qū)時(shí)間是在PWM輸出的這個(gè)時(shí)間，上下管都不會(huì)有輸出，當(dāng)然會(huì)使波形輸出中斷，死區(qū)時(shí)間一般只占百分之幾的周期。但是當(dāng)PWM波本身占空比小時(shí)，空出的部分要比死區(qū)還大，所以死區(qū)會(huì)影響輸出的紋波，但應(yīng)該不是起到?jīng)Q定性作用的。

MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻譯過(guò)來(lái)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同，MOS可以細(xì)分為NMOS和PMOS兩種。

下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個(gè)二極管，有人說(shuō)這個(gè)二極管是寄生二極管，有人說(shuō)是體二極管，為什么要并聯(lián)這個(gè)二極管？是否可以去除？

MOS除了D、G、S三個(gè)極之外，還有一個(gè)Sub極，Sub和S極有連接關(guān)系，因此MOS的電路符號(hào)中，會(huì)將MOS內(nèi)部指向溝道N溝道的箭頭和S極連接在一起。S極與襯底極短接，導(dǎo)致S極到D極會(huì)有一個(gè)PN節(jié)。

很容易看出P-MOSFET里寄生二極管的來(lái)源了，源極（Source）和漏極（Drain）之間存在一個(gè)PN結(jié)，等效為寄生體二極管。

審核編輯：湯梓紅