閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存器 （NAND Flash)。閃存器于1980 年由在東芝工作的日本工程師 Fujio Masuoka 發(fā)明并獲得 1997 年 IEEE 的獎勵。1988 年 Intel 發(fā)布了最早的或非閃存器產(chǎn)品 NOR Flash。 全球 NOR Flash 廠商主要有美光科技、飛索半導體(Spansion）、旺宏、華邦等 IDM 企業(yè)。全球 NAND Flash 廠商主要有三星電子、東芝、SK 海力士、美光科技四家 IDM 企業(yè)。

NOR Flash 最大的技術(shù)特點是“在芯片內(nèi)執(zhí)行”(eXecute In Place，XIP)，即無須把代碼先放入RAM 中再執(zhí)行，而是可以直接在閃存器內(nèi)運行。在NOR Flash 技術(shù)的基礎(chǔ)上，三菱和日立發(fā)明了 Divided Bit -Line NOR(DINOR）架構(gòu)技術(shù)。DINOR Flash 按字節(jié)隨機編程的速度略低于 NORFlash，但其塊（Block）擦/寫速度更快。1989年東芝發(fā)布了 NAND Flash 結(jié)構(gòu)，其擦/寫速度比 NOR Flash 更快，且其內(nèi)部的擦除電路更為簡單。在

NAND Flash 的基礎(chǔ)上，AMD 與富士通聯(lián)合研發(fā)了 UItra NAND 技術(shù)。UltraNADA Flash 兼容原 NAND Flash 的特性，可靠性更高，能更有效地利用存儲器容量，適合于要求較高可靠性的場合，例如固態(tài)硬盤等。各類閃存器的特點及應(yīng)用見表 2-5。

其中 NAND Flash 作為高數(shù)據(jù)存儲密度閃存器，被廣泛應(yīng)用于各種數(shù)字終端設(shè)備。NAND Flash 的數(shù)據(jù)被以位的方式存儲在其存儲單元（Memory Cell) 中，而其存儲單元可分為三種類型：單層單元 ( Single-Level Cell, SLC)、多層單元（Multi-Level Cell, MLC）和 使用 X3 架構(gòu)的TLC (Trinary -Level Cell)單元。Numonyx公司（2010 年被美光公司合并）采用浮刪技術(shù)制造的 NOR Flash 有SLC、MLC 類型，擦/寫達到 10萬-100 萬次。 SIC、 MLC、 TLC NAND Flash的性能特點對比見表 2-6。

先進工藝節(jié)點尺寸的等比例縮小，使 NAND Flash 中晶體管柵極氧化層也會隨之變薄，從而導致可靠性變差。在不改變工藝的情況下，三維與非閃存器(3D NAND Flash Memory, 3D NAND)，通過將原本平鋪的存儲單元進行多層堆疊以擴充 NAND Flash 的容量。各閃存廠商采用不同的技術(shù)推出了多種三維與非閃存器，例如三星研發(fā)的垂直柵極結(jié)構(gòu)的 V-NAND，東芝與內(nèi)迪（SanDisk）聯(lián)合研發(fā)的 BiCS類型的3D NAND，以及 Intel 與 Micron 聯(lián)合研發(fā)使用3D XPoint 技術(shù)的3D NAND。2017年是 3D NAND 技術(shù)快速成長的一年，三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、 美光、SK海力士等都加大力度投入64層、72層 3DNAND 的研發(fā)。2017年6月西部數(shù)據(jù)報道了業(yè)界第一個96層的 3D NAND。