近日,山東華光光電子股份有限公司兩項(xiàng)新技術(shù)取得突破,經(jīng)山東電子學(xué)會(huì)組織專家進(jìn)行鑒定,評(píng)價(jià)為國際先進(jìn)水平。
01.
十萬瓦級(jí)面陣用808nm激光器巴條研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
本項(xiàng)目攻克了高應(yīng)變量子阱外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、多層應(yīng)力補(bǔ)償復(fù)合金屬結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、低位錯(cuò)腔面鈍化等關(guān)鍵技術(shù),研制的高功率巴條可用于十萬瓦級(jí)面陣模塊,實(shí)現(xiàn)單巴條輸出功率提升74%、效率提升8%,具有大脈沖能量和高峰值功率,助力國內(nèi)高端十萬瓦級(jí)以上半導(dǎo)體激光泵源的性能迭代。
經(jīng)山東電子學(xué)會(huì)科技成果評(píng)價(jià),專家一致認(rèn)為該成果在芯片波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、電極結(jié)構(gòu)以及腔面鈍化結(jié)構(gòu)方面具有創(chuàng)新性,輸出功率和電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了國際先進(jìn)水平。
高光反饋抗性880nm激光器芯片關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化
02.
本項(xiàng)目突破了低應(yīng)力高臺(tái)階覆蓋度電極技術(shù),設(shè)計(jì)了多層梯度金屬結(jié)構(gòu),使芯片側(cè)向梯度溫度降低,減少發(fā)光區(qū)與周圍溫度差,降低應(yīng)力對(duì)發(fā)光區(qū)的影響,輸出功率 由15W提升到18W ,提升了20%,研發(fā)出的高功率880nm激光器芯片與國際標(biāo)桿廠商產(chǎn)品水平相當(dāng)。
經(jīng)山東電子學(xué)會(huì)科技成果評(píng)價(jià),專家一致認(rèn)為成果在量子阱外延結(jié)構(gòu)、應(yīng)力補(bǔ)償以及腔面鈍化方面具有創(chuàng)新性,輸出功率和電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了國際先進(jìn)水平。
這兩項(xiàng)新技術(shù)的發(fā)布進(jìn)一步體現(xiàn)了華光光電在半導(dǎo)體激光器泵源領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力,華光光電將以此為契機(jī),持續(xù)加強(qiáng)重要技術(shù)創(chuàng)新,不斷提升企業(yè)核心競爭力,以半導(dǎo)體激光器核心元器件為切入口,走光電子集成的道路,致力于成為國際先進(jìn)的光電子產(chǎn)品提供商和領(lǐng)先的解決方案服務(wù)商。
這兩項(xiàng)新技術(shù)的發(fā)布進(jìn)一步體現(xiàn)了華光光電在半導(dǎo)體激光器泵源領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力,華光光電將以此為契機(jī),持續(xù)加強(qiáng)重要技術(shù)創(chuàng)新,不斷提升企業(yè)核心競爭力,以半導(dǎo)體激光器核心元器件為切入口,走光電子集成的道路,致力于成為國際先進(jìn)的光電子產(chǎn)品提供商和領(lǐng)先的解決方案服務(wù)商。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:華光光電兩項(xiàng)新技術(shù)被評(píng)價(jià)為國際先進(jìn)水平
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