1、三個(gè)極的判定

G極(gate)—柵極，不用說(shuō)比較好認(rèn)。

S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是。

D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。

2、N溝道與P溝道判別

箭頭指向G極的是N溝道

箭頭背向G極的是P溝道

3、寄生二極管方向判定

不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S。

4、MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能

1>信號(hào)切換

2>電壓通斷

5、MOS管用作開(kāi)關(guān)時(shí)在電路中的連接方法

關(guān)鍵點(diǎn):

1>確定那一極連接輸入端，那一極連接輸出端

2>控制極電平為？V 時(shí)MOS管導(dǎo)通

3>控制極電平為？V 時(shí)MOS管截止

NMOS：D極接輸入，S極接輸出

PMOS：S極接輸入，D極接輸出

反證法加強(qiáng)理解

NMOS假如：S接輸入，D接輸出

由于寄生二極管直接導(dǎo)通，因此S極電壓可以無(wú)條件到D極，MOS管就失去了開(kāi)關(guān)的作用。

PMOS假如：D接輸入，S接輸出

同樣失去了開(kāi)關(guān)的作用。

6、MOS管的開(kāi)關(guān)條件

N溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通。

P溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通。

總之，導(dǎo)通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|。

7、相關(guān)概念

BJT

Bipolar Junction Transistor 雙極性晶體管，BJT是電流控制器件；

FET

Field Effect Transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件.

按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱(chēng)JFET）、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET）

兩大類(lèi)?

按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.

按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。

總的來(lái)說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。

8、MOS管重要參數(shù)

①封裝

②類(lèi)型（NMOS、PMOS）

③耐壓Vds（器件在斷開(kāi)狀態(tài)下漏極和源極所能承受的最大的電壓）

④飽和電流Id

⑤導(dǎo)通阻抗Rds

⑥柵極閾值電壓Vgs(th)

9、從MOS管實(shí)物識(shí)別管腳

無(wú)論是NMOS還是PMOS

按上圖方向擺正，中間的一腳為D，左邊為G，右邊為S。

或者這么記：?jiǎn)为?dú)的一腳為D，逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS。

這里順便提一下三極管的管腳識(shí)別：同樣按照上圖方向擺正，中間一腳為C，左邊為B，右邊為E。

管腳編號(hào)

從G腳開(kāi)始，逆時(shí)針123

10、用萬(wàn)用表辨別NNOS、PMOS

借助寄生二極管來(lái)辨別。將萬(wàn)用表檔位撥至二極管檔，紅表筆接S,黑表筆接D，有數(shù)值顯示，反過(guò)來(lái)接無(wú)數(shù)值，說(shuō)明是N溝道，若情況相反是P溝道。

11、畫(huà)一個(gè)MOS管

審核編輯：彭菁