根據施敏教授的拆分理論,器件由4個基本單元組成。
根據該理論,IGBT用到了3個基本單元:(a)金屬-半導體界面,(b)pn結(d)金屬-氧化層-半導體結構。
以下僅對(b)pn結進行展開。
pn結最重要的參數為 內建電勢 (built-in potential)Vbi,公式如下:
其中,KT/q=0.0259(300K),NA/ND分別為P/N型摻雜濃度,ni為本征摻雜濃度。
耗盡層寬度公式如下(當NA>>ND時):
當增加電壓偏執V后,耗盡層寬度公式如下:
PN處最高場強公式如下:
全文完,客官們輕拍!
并沒有達到想到的目的,待后續更新;
pn結作為基本單元,是玩器件的基礎。花點功夫,費點心思在上面是很值得的!!!
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發表于 04-18 11:21
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