上一章我們講到的變化趨勢，至于，可以按照相同的方式進行分析，即 柵極與漏極極之間的電容。開通過程中，因不存在耗盡反型過程，所以就是柵氧與N_drift區域重疊的部分所形成的電容；

但是關斷過程中，因為P-base和N_drift所形成的PN結承受高壓而產生耗盡區，所以也會形成一個與串聯的耗盡區電容，如圖中所示，這里不再詳述。

至此，我們是不是可以得出輸入電容就是和之和呢？還差一步，因為MOS使用過程中還存在負載，對輸入電容是有影響的。

根據前面對MOS的IV特性分析，可以將MOS視為一個電壓控制型電流源，其共源極等效電路如下圖。

根據電路的基本原理，假設輸入電容為，那么

根據等效電路，

顯然，，綜合以上幾個關系式易得，

對照，得到MOS結構的輸入電容為：

定義上式右邊第二項為米勒電容，。顯然米勒電容是隨柵極電壓變化的。

前面講到MOS結構中電容的存在會決定器件的響應速度，即器件可工作的頻率范圍。從MOS的工作機制容易看出，開啟過程中，電子從源極傳輸到漏極的時間主要由兩個部分構成：

一是柵極電容的充電時間，至形成反型溝道，從而具備電子傳輸的通道；

二是電子從溝道中通過的時間，對于功率型MOS而言，還要包括電子通過低摻雜擴散區直到漏極的擴散時間。

對于關斷過程，則與開啟相反。這里我們把前者稱為開關時間，后者稱為渡越時間。

對于渡越時間，這里將其物理過程描述如下，感興趣的讀者可以參考作推導。渡越溝道所需時間取決于溝道內的電子飽和速度和溝道長度，，即速度取決于溝道內的遷移率和沿溝道方向的電場強度，該電場強度又取決于漏極和源極之間的電勢梯度；渡越低摻雜擴散區所需時間取決于擴散速度和擴散區深度，即速度取決于與擴散系數和平均自由程，擴散系數同樣與擴散區的遷移率相關，而平均自由程則與濃度相關。

下面對與電容充電相關的開關時間作簡要分析。隨著頻率的增加，輸入電容的容抗減小,所以頻率響應一定存在一個極限值，這個極限值通常被定義為截止頻率，對應輸出電流與輸入電流的增益為1時的頻率。即：

化簡后，