近日，普冉半導體推出創新的 P24C系列高可靠 EEPROM 產品，應下游客戶及市場需求，公司該新款系列產品可達到 1000萬次擦寫壽命，是公司為電表市場開發的超群產品，達到目前行業領先的擦寫次數。

P24C系列產品基于 95nm 及以下工藝，具備低功耗、超寬壓覆蓋、高可靠等特性，滿足擦寫壽命 1000萬次，數據保存 100年的高可靠性要求，產品性能達到業界領先水平，可用于電表及其他高可靠性產品領域。

P24C系列產品的特點：

存儲器容量：512Kbit~1Mbit

工作電壓范圍：1.7V~5.5V

工作溫度范圍：-40℃~125℃

擦寫功能帶糾錯碼（ECC）

擦寫壽命：1000萬次

數據保存年限：100年

封裝支持：PDIP8, SOP8, TSSOP8, MSOP8, UDFN8, SOT23-5, TSOT23-5

EEPROM 是一種通用型非易失性存儲芯片，由于其低功耗、高靈活性、強可靠性等特點，被廣泛應用于存儲小規模、經常需要修改的數據存儲，應用于智能手機、服務器、PC、BLE / WIFI 模塊、汽車電子、面板、家電、工控等下游領域。

普冉半導體在 EEPROM 領域，已深耕近十年。2014年，公司前身無錫普雅半導體完成首顆 256Kbit、512Kbit EEPROM 的研發和流片。2021年，公司車規級 EEPROM 獲得 AEC-Q100 認證，進入海內外知名車廠。截至目前，公司 EEPROM 產品已經做到 2Kbit-4Mbit 的全容量覆蓋，操作電壓覆蓋 1.2V-5.5V，同時支持 SOP / TSSOP / DFN 等傳統封裝及 WLCSP 等芯片級封裝形式，能夠滿足不同應用領域對容量和封裝的需求。

公司在 EEPROM 領域已經形成比較完整的系列產品布局，并持續在工藝制程和存儲單元等維度實現技術迭代，提升產品的性價比和市場競爭力。

工藝制程方面，公司持續針對存儲單元的結構、擦寫電壓進行改造和優化，在不犧牲可靠性指標的前提下，不斷縮小存儲單元的尺寸，單顆芯片具備更高的性價比。公司已從第一代 130nm 產品迭代到新一代的 95nm 及以下產品，并于 2020年實現量產。

產品功能方面，普冉半導體實現了分區域保護、地址編程等功能，可對芯片中的存儲的參數數據進行保護，避免數據丟失和篡改，數據保持時間超過 100年。

公司擁有超大容量的EEPROM系列產品，支持SPI/I2C接口和最大 4Mbit 容量，其中 2Mbit 產品批量用于高速寬帶通信和數據中心。同時，公司推出的超低電壓 1.2V 系列 EEPROM 已實現量產出貨，涵蓋 32Kbit 至 512Kbit，是目前行業內工藝節點領先和容量覆蓋面較為完備的超低電壓產品線。

相比上一代 500萬次擦寫的產品，普冉半導體本次推出的新產品可以更靈活的更新修改，同時具備更長的使用壽命，也一定程度體現了公司在工藝和設計水平上的持續突破。

公司未來將在非易失存儲器領域以新工藝節點、寬電壓覆蓋、高速、高可靠等性能為發展方向，以高可靠工控和車規為持續的重點拓展方向，進一步擴展系統級存儲器產品線，不斷獲得突破和領先優勢。

文章來源 | 普冉半導體

審核編輯：湯梓紅