下面我們再分析一下球面結的雪崩電壓。首先對（7-17）從PN結邊界到耗盡區(qū)積分，結果如下，

計算出雪崩電場對應的耗盡區(qū)寬度，在帶入（7-22）即可得到球面結的雪崩電壓。將（7-17）帶入碰撞電離率的經驗表達式（7-9），并在整個耗盡區(qū)內進行積分，

同樣，對于1200V的IGBT，假設PN結深，襯底濃度為，求解（7-23），可以得到雪崩時的耗盡區(qū)寬度，顯然遠小于平面結的和柱面結的。

將代入（7-19），得到球面結的雪崩電場為，

同樣由于碰撞電離率經驗公式的偏差問題，雪崩電場的絕對值與平面結和柱面結有所差別，但在同一個數(shù)量級，這個計算過程是可信的。

令（7-22）中的，即可得到球面結的雪崩電壓為（ ），。

回顧《平面結和柱面結的耐壓差異2》，平面結和柱面結在雪崩時所對應的耐壓分別為1920V和250V，可見球面結對雪崩電壓的影響。

為解決上述問題，就需要避免出現(xiàn)球面或者小曲率半徑的PN結界面，這需要在設計中仔細考慮。

因為擴散工藝自身的特點，柱面PN結是不可避免的，比較容易想到的就是多用幾個PN結來分擔峰值電場，即芯片外圍的由多個柱面結來共同承擔電壓，常見的終端結構基本都是按這個邏輯進行設計。