磁控濺射（Magnetron Sputtering）是一種常見的物理氣相沉積 (PVD) 工藝，具有速度快、溫度低、損傷小等優點，其關鍵特點是使用一個磁場來控制并增強濺射過程。已發展成為工業鍍膜中非常重要的技術之一，其次由于具有濺射速率高，沉積速率高，沉積溫度低，薄膜質量好的等優點，越來越受到有關方面的關注。

磁控濺射原理

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。

磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯過程。在這種級聯過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。磁控濺鍍便是利用磁控濺射技術一種常見的表面處理技術，用于給材料表面鍍上一層薄膜。下面工采網小編通過本文介紹一下磁控濺鍍常用的溫度是多少?以及如何檢測磁控濺鍍的溫度變化。

磁控濺射鍍膜其溫度控制是非常重要的一步。不同的靶材和襯底需要不同的溫度處理，一般在室溫到數百攝氏度之間。溫度對磁控濺射鍍膜的 形貌，晶體結構，純度和結合能等性質都有很大的影響，需要的注意的是對于金屬靶材，通常需要較高的溫度，以使金屬原子蒸汽化和擴散。常見的金屬靶材如銅、銀、金、鈦、鋁等，其濺射溫度通常在300 - 800°C之間；非金屬靶材，如氮化硅、氧化物、碳化物等，其濺射溫度通常在室溫到數百攝氏度之間；一些高溫鎢鉬系的合金靶材其濺射溫度達到了數千攝氏度。那么對于磁控濺射鍍膜溫度的變化我們該如何監測呢？

現有磁控濺射鍍膜用溫度檢測裝置中，溫度檢測器通常設置在鍍膜腔室內的某一個固定位置，通過測量該固定位置處的溫度即可得到基片的溫度。然而，由于鍍膜過程中基片周圍溫度的分布是不均勻的，導致測出來的基片溫度非常不準確。為此工采網推薦使用光纖傳感器監測磁控濺射鍍膜溫度變化，光纖傳感器是一種利用光纖的光學特性來測量和監測溫度的裝置。它通過測量光的折射率變化來推測溫度的變化，具有高精度、遠距離傳輸和抗干擾能力強等特點。加拿大FISO光纖溫度傳感器- FOT-L-SD和FOT-L-BA是一類非常適合在j端環境下測量溫度的光纖溫度傳感器，這種極端環境包括低溫、核環境、微波和高強度的RF等。FOT-L-SD的封裝材料是PTFE，它的測溫范圍為-40°C ~ 300°C (-40°F ~572*F)。FOT-L-BA的設計直徑更小，這使得它的響應時間相對更快。它的測溫上限為250°C。

FISO的光纖溫度傳感器能夠提供精確、穩定和可重復的溫度測量。這些測量均基于反射光的變化---與發射光對比時--由傳感器內部高度穩定的玻璃的熱膨脹弓|起。因而FOT-L 集所有您期望從理想傳感器器身獲取的優良特性于一體。因此，即使在極端溫度和不利的環境下，這類傳感器依然能夠提供高精度和可靠的溫度測量。

審核編輯 黃宇