氮化鎵集成技術是將多個GaN器件、電路或功能整合到同一芯片上的技術,有助于提高電子器件的性能、降低系統成本、減小尺寸,并增強系統的可靠性。涉及到混合集成、三維集成、系統級封裝、數字/模擬混合集成等。GaN集成技術的發展有助于推動GaN器件在多個領域的應用,包括通信、電源管理、雷達系統等。通過整合不同功能,設計更緊湊、更高性能的電子系統,GaN集成技術將繼續在半導體領域發揮重要作用。
近日,在第九屆國際第三代半導體論壇&第二十屆中國國際半導體照明論壇開幕大會上,香港科技大學講席教授陳敬帶來了“面向功率、射頻和數字應用的氮化鎵器件技術”的大會報告。功率半導體加速電氣化,GaN有更高的功率密度和更高的效率。報告中分享了高/低端開關的單片集成、當前GaN半橋解決方案、基于超薄緩沖層技術(GaN-on-UTB)的氮化鎵單片半橋集成芯片、基于標準低阻Si襯底的650V GaN集成平臺,p-GaN柵極HEMT的可靠性問題,異構WBG(H-WBG)電源設備,常關GaN/SiC-HyFET的關鍵技術,硅上GaN射頻功率放大器(PA),射頻微波功率放大器模塊技術,硅上GaN E型p-GaN柵極RF HEMT,用于超寬溫度范圍(X-WTR)電子器件的GaN等技術內容。
具有良好控制的均勻性和再現性的既定制造工藝,在低于6GHz時襯底損耗得到很好的抑制適用于低于6GHz應用的射頻性能。無線終端中更高的電池供電電壓可能給GaN-on-Si E-mode RF-HEMTs帶來機會。比GaAs HBT更容易實現高擊穿電壓。
報告指出,GaN HEMT功率器件的平面特性為各種應用提供了豐富的機會,GaN電力電子,電源集成和可靠性問題至關重要,必須加以解決。硅上GaN RF-HEMT,經濟高效,適用于大容量移動終端,無線網絡。
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