近日，在廈門召開的第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）的“Mini/Micro-LED技術產業應用論壇”上， 廈門大學物理科學與技術學院副院長黃凱教授帶來了“顯示用Micro-LED 芯片與集成技術新進展”的主題報告，分享了Micro-LED 顯示技術關鍵瓶頸，以及顯示用Micro-LED芯片與集成技術新進展。

Micro-LED 顯示技術利用微型化的LED芯片作為顯示像素點，可應用在幾乎所有的主流顯示應用領域，結構簡單、無縫拼接，超高對比度、超高亮度等特點。Micro-LED顯示技術當前面臨的主要瓶頸，涉及外延均勻性提升與顆粒污染物控制；小尺寸芯片工作電流區間下量子效率提升；巨量轉移、修復效率與良率提升；面向微顯示的全彩化技術開發;針對Micro-LED顯示的驅動技術開發。

Micro-LED芯片關鍵問題涉及尺寸效應和邊緣效應導致的量子效率低，刻蝕工藝引入大量表面缺陷，造成側壁損傷，使芯片邊緣形成“死區”。Micro-LED顯示集成關鍵問題，涉及面向平板顯示的玻璃基巨量轉移及檢測修復和面向微型顯示的硅基CMOS集成技術問題。

對于當前顯示用Micro-LED芯片與集成技術新進展，報告指出，Micro-LED 外延技術方面，開發基于人工智能的LED外延結構輔助設計方法，實現外延結構的超快速設計。不同應用場景下的Micro LED外延結構設計，以傳統尺寸LED外延結構AI模型作為遷移學習中的源域，可以提供更多與外延結構特征相關的先驗知識，從而提高目標域學習的效率和效果。

Micro-LED 芯片技術方面，開發Micro-LED芯片刻蝕及表/界面修復、鈍化全套新技術，極大提升芯片發光量子效率。Micro-LED 集成技術方面，面向特種顯示應用，成功開發并點亮Micro-LED微顯屏。藍光/綠光0.41”(像素尺寸~10um，pitch 11.1μm，PPI 2288）；綠光0.39 ”(像素尺寸~6.5μm，pitch 7.5μm，PPI 3387） 2A/cm2注入電流密度下，亮度超105 nits。

報告指出，研究實現高性能Micro-LED芯片量產，突破全彩模組技術，獲福建省科技進步一等獎。

審核編輯：劉清