這是一種低磁滯雙向可控硅相位/功率控制電路。該電路用于控制滿負載功率的 5% 至 95%。該電路可以將磁滯效應降低到合理范圍內。

這是因為該電路使用了第二個 RC 相移網絡。除此之外，第二個 RC 相移網絡還擴展了控制范圍。該電路可用于改變電源電壓。這是電路：

相移電壓由大 R1 和 C1 形成，主要通過 R3 充電。雙向交流開關觸發后，磁滯減小，C2 能夠對 C1 進行再充電，并且 C1 上的相移范圍增大。當R1達到最大阻值時，必須調整R3，使電路剛好停止導通。