臺積電在IEEE國際電子器件會議中的“邏輯的未來”小組公布了1.4nm先進制程的研發(fā)進度順利。公司表示,預(yù)計將在2025年實現(xiàn)基于2nm制程的大規(guī)模量產(chǎn)。
據(jù)半導(dǎo)體分析機構(gòu)SemiAnalysis的數(shù)據(jù)顯示,臺積電已將此階段的工作節(jié)點正式命名為A14。盡管該公司未透露A14具體的量產(chǎn)時間表與規(guī)格參數(shù),但參照已經(jīng)制定的N2與N2P計劃,可推測A14可能將于2027至2028年前引入市場。
關(guān)于臺積電是否將采用類似2nm的 GAAFET 或垂直堆疊的 CEFT 工藝,這仍然是未知之?dāng)?shù)。此外,臺積電是否會在2027至2028年內(nèi)采用高數(shù)值孔徑的EUV***也是值得關(guān)注的話題。
考慮到屆時英特爾等廠商將逐步部署并完善數(shù)值孔徑0.55的下一代EUV***,相對來說芯片代工廠商利用該設(shè)備的難度會有所降低。然而,使用高數(shù)值孔徑EUV***會使掩模版尺寸減少一半,因而對芯片設(shè)計及制造業(yè)也帶來新的挑戰(zhàn)。
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