新竹科技園區主管在聲明中披露,臺積電預計從2024年4月起開始在該園區安裝2nm晶圓廠設備。盡管尚未有官方通報確認這一消息,但它很可能標志著臺積電N2(2nm)項目取得重大突破,因為該公司至今從未公開宣布具體投產時間。
有媒體報道表示,盡管這僅僅是個開始,但設備進場標志著晶圓廠建設的關鍵階段,因為裝備一家晶圓工廠需要大約一年時間。為支持臺積電N2工藝生產線,這家公司將需要大量阿斯麥爾股份有限公司(ASML)研發的雙束NXE極紫外線(EUV)***設備。這些設備將交由臺積電與ASML聯合安裝并核實,這無疑會進一步拉長建設周期。
無意外的話,臺積電有望在2025年下半年啟動投入N2工藝生產的晶圓廠,正符合該公司此前宣布的大規模生產2nm工藝的預定時間。
按照早前業內信息顯示,寶山新竹2nm晶圓廠初始月產量約為3萬片;高雄2nm晶圓廠則有望引入采用背供電技術的N2p(2nm加強版)制程,同樣預期初始月產量也是3萬片左右。
臺積電在法說會上曾透露,其已成功開發出N2背面配電線路(backside power rail)解決方案,特別適合高性能計算(HPC)等領域應用,相較基礎技術,這項創新可使速度提高10至12%,邏輯密度增加10至15%。他們希望能在2025年下半年向客戶全面推廣背電線路,并在2026年實現批量生產。
關于前沿技術發展規劃,在 IEEE 國際電子器件會議(IEDM)的“邏輯的未來”小組討論中,臺積電分享了其1.4nm級制造技術的研制進展,并將其命名為“A14”。從現有供應鏈評估來看,臺積電可能選擇在高雄設立1.4nm晶圓廠。
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