三五族氮化物半導(dǎo)體材料,包括氮化鎵,氮化鋁,氮化銦及其它們的合金,以其獨特的直接帶隙半導(dǎo)體特性和從0.6eV到6.2eV連續(xù)可調(diào)禁帶寬度特點,非常適用于光電材料與器件的應(yīng)用開發(fā)和研究。基于此,它們可以用于制備各種光電子器件,包括發(fā)光二極管,半導(dǎo)體激光器和半導(dǎo)體探測器等。然而,目前AlGaN基深紫外LED電光轉(zhuǎn)換效率不足10%。
此外,傳統(tǒng)紫外探測器主要產(chǎn)生單一方向流動的光電流,其探測功能和形式受到限制。為解決上述瓶頸,進(jìn)一步提升紫外光電器件性能并拓展其光電功能。
近日,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)于廈門召開。期間,“氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)”分會上,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)孫海定教授做了“用于日盲光通信的高效DUV微型LED和新型光電探測器的開發(fā)”的主題報告,分享了最新研究成果。
課題組通過實現(xiàn)對AlGaN薄膜和納米線結(jié)構(gòu)的可控外延生長以及新穎的發(fā)光和探測器件結(jié)構(gòu)設(shè)計與制備,獲得器件的高效光電/電光轉(zhuǎn)換效率,并實現(xiàn)了在日盲紫外光通信中的應(yīng)用。報告總結(jié)了(1)通過制備microLED并優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和制備工藝(側(cè)壁鈍化工藝,幾何形貌和器件周長比,器件尺寸大小及側(cè)壁斜切角,器件陣列等),提升紫外microLED的器件發(fā)光效率并體現(xiàn)出它們相較于傳統(tǒng)大尺寸器件在高速日盲紫外光通信中的應(yīng)用優(yōu)勢;(2)利用AlGaN/GaN納米線比表面積大優(yōu)勢和納米線表面修飾和結(jié)構(gòu)優(yōu)化,實現(xiàn)雙極性光電流探測,用于雙通道加密日盲紫外光通信等應(yīng)用等。
審核編輯:劉清
-
led
+關(guān)注
關(guān)注
242文章
23256瀏覽量
660608 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27305瀏覽量
218148 -
光通信
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
876瀏覽量
33963 -
光電探測器
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
266瀏覽量
20492 -
DUV
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
55瀏覽量
3691
原文標(biāo)題:中國科大孫海定教授:用于日盲光通信的高效DUV微型LED和新型光電探測器的開發(fā)
文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論