近期，國內又一批半導體產業項目迎來新動態，項目涵蓋晶圓制造、汽車芯片、功率半導體、化合物半導體、半導體設備/材料、模擬芯片等，涉及企業包括格科微、華虹集團、思瑞浦、縱慧芯光、中芯國際、矽力杰等。

格科微臨港12英寸CIS晶圓廠投產

據上海臨港消息，12月22日，格科微臨港工廠舉辦投產儀式。

格科微晶圓廠位于臨港新片區，項目于2020年3月簽約，同年11月正式開工，2021年8月廠房主結構封頂，2022年9月投片成功，首個晶圓工程批取得超過95%的良率，2023年2季度首批產能正式量產。

據介紹，格科微臨港工廠是中國Fabless（無晶圓廠）向Fab-Lite(輕晶圓廠)轉型企業中首家實現投產的12英寸CIS晶圓制造廠。也是臨港推進產業項目“136”機制（1月簽約、3月拿地、6月啟動）的典型代表。根據規劃，臨港項目新增產能主要用于生產中高階CIS產品，是在現有業務的基礎上對產品線的完善與補充。

資料顯示，格科微電子（上海）有限公司總部位于上海，在全球擁有9個分支機構，主營業務為CMOS圖像傳感器和顯示驅動芯片的研發、設計、封測和銷售，產品主要應用于手機，同時廣泛應用于平板電腦、筆記本電腦、可穿戴設備、移動支付、汽車電子等消費電子和工業應用。

華虹制造（無錫）項目主廠房鋼屋架啟動吊裝

12月24日，華虹制造（無錫）項目主廠房鋼屋架吊裝儀式在無錫高新區舉行。

據官網顯示，華虹集團旗下華虹半導體（無錫）有限公司（“華虹無錫”）位于無錫高新技術產業開發區內。其一期項目有一座月產能7.5萬片的12英寸晶圓廠（華虹七廠），是全球領先的12英寸特色工藝生產線，也是全球第一條12英寸功率器件代工生產線。華虹無錫工藝節點覆蓋90~65/55納米。

據悉，2017年8月，華虹無錫一期項目落戶無錫高新區，從開工到投產僅用時17個月。目前，項目經過兩輪擴產，年內即將實現月產9.45萬片總目標。

2023年6月8日，華虹集團決定由華虹宏力在無錫高新區啟動實施華虹無錫集成電路研發和制造基地二期項目，投資67億美元，新建一條產能8.3萬片的12英寸特色工藝集成電路芯片生產線。

6月30日，華虹無錫二期項目正式開工，在不到半年時間內，廠房主體建設就已完成70%。

無錫高新區在線消息稱，預計一期、二期項目全部達產后月產能將達18萬片，華虹無錫項目將成為國內技術最先進、生產規模最大的12英寸特色工藝研發和制造基地。

思瑞浦車規級測試中心運營

12月21日，思瑞浦車規級測試中心開業儀式在蘇州工業園區舉行，標志著思瑞浦車規級測試中心正式投入運營。

據思瑞浦官方消息，思瑞浦車規級測試中心定位高端車規級晶圓和成品芯片測試，該中心計劃總投資7.8億元，整體面積近8000平方米，建有千級和萬級兩個無塵室車間，以高端車規產品的標準進行建設，支持常溫、高溫和低溫測試，能滿足不同尺寸的晶圓以及不同封裝形式的成品芯片測試。

官微顯示，思瑞浦微電子科技（蘇州）股份有限公司致力于研發高性能、高質量和高可靠性的集成電路產品，包括信號鏈模擬芯片、電源管理模擬芯片和數模混合模擬前端，并逐漸融合嵌入式處理器， 為客戶提供全方面的解決方案。其應用范圍涵蓋信息通訊、工業控制、新能源和汽車、醫療健康等眾多領域。

中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產線新進展

據臨港新片區管委會官網披露文件顯示，近日，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產線項目城鎮污水排入排水管網許可順利獲批。

據悉，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產線項目由中芯國際和中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區管理委員會合作規劃建設。根據協議，雙方共同成立合資公司，規劃建設產能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產線項目，聚焦于提供28納米及以上技術節點的集成電路晶圓代工與技術服務。

據中芯國際發布的公告顯示，該項目計劃投資約88.7億美元（折合人民幣約573億元），這也是中芯國際在上海的第一個按照Twin Fab方式建造的超大邏輯芯片代工生產廠房。合資公司注冊資本金擬為55億美元，其中本公司擬出資占比不低于51%，上海市人民政府指定的投資主體擬出資占比不超過25%。

芯原股份加碼投資Chiplet、新一代IP研發項目

12月23日，芯原股份發布公告稱，公司擬向特定對象發行A股股票募集資金總金額不超過18.08億元（含本數），本次募集資金總額在扣除發行費用后將用于AIGC及智慧出行領域Chiplet解決方案平臺研發項目、面向AIGC、圖形處理等場景的新一代IP研發及產業化項目。

AIGC及智慧出行領域Chiplet解決方案平臺研發項目：公司Chiplet研發項目圍繞AIGC Chiplet解決方案平臺及智慧出行Chiplet解決方案平臺，主要研發成果應用于AIGC和自動駕駛領域的SoC，并開發出針對相關領域的一整套軟件平臺和解決方案。

通過發展Chiplet技術，芯原股份可更大程度地發揮自身先進芯片設計能力與半導體IP研發能力的價值，結合公司豐富的量產服務及產業化經驗，既可持續從事半導體IP授權業務，同時也可升級為Chiplet供應商，提高公司的IP復用性，有效降低芯片客戶的設計成本和風險，縮短芯片研發迭代周期，幫助芯片廠商、系統廠商、互聯網廠商等企業快速發展高性能計算芯片產品，降低大規模芯片設計的門檻，提高客戶粘性，并進一步提高公司盈利能力。

面向AIGC、圖形處理等場景的新一代IP研發及產業化項目：本項目將在現有IP的基礎上，研發面向AIGC和數據中心應用的高性能圖形處理器（GPU）IP、AIIP、新一代集成神經網絡加速器的圖像信號處理器AI-ISP，迭代IP技術，豐富IP儲備，滿足下游市場需求。項目實施有利于充分發揮公司現有的技術優勢及產品優勢，鞏固公司在行業內的市場地位，擴大市場占有率，為公司持續發展、做大做強打下堅實基礎。

安彩高科投資年產3000噸高純石英半導體用玻璃項目

12月23日，安彩高科發布公告稱，擬向全資子公司河南安彩半導體有限公司（以下簡稱“安彩半導體”）增資5100萬元，由安彩半導體投資建設年產3000噸高純石英半導體用玻璃項目，項目投資總額約2億元。項目達產后，預計年均銷售收入為3.71 億元。

安彩高科表示，高純石英制品作為光伏及半導體等領域不可或缺的重要基礎性材料，其獨特性能和應用領域的廣泛性使其具備廣闊的市場前景。本次增資建設的石英玻璃項目符合公司發展目標和方向，可促進公司產業升級，推動公司高質量發展。

湖北鑫陽半導體中試線投產

據鄖陽網報道，12月20日，位于十堰高新區的湖北鑫陽半導體科技有限公司中試線正式投產。

根據報道，今年8月，湖北鑫陽半導體科技有限公司開工建設，湖北鑫陽半導體研究院也同步成立。鑫陽半導體為國內首例使用國產石英礦制備光伏及半導體用高純石英砂的企業。項目投產后，預計年可生產光伏及半導體用高純石英砂2000噸。

武進區集成電路產業重點項目開工

據今日武進消息，12月20日，武進區集成電路產業重點項目集中開工暨龍城芯谷奠基儀式在武進國家高新區舉行。

本次集中開工項目涵蓋1個特色集成電路產業園——龍城芯谷一期，2個集成電路產業平臺——寬禁帶半導體國家工程中心常州分中心、東南大學智能感知平臺，以及縱慧芯光半導體、快克芯裝備科技等14個重點集成電路產業鏈項目，總投資約85億元，覆蓋集成電路產業鏈各個環節。

其中，龍城芯谷是該區重點打造的集成電路產業新高地，規劃面積443畝，錨定第二代、第三代化合物半導體，重點布局新能源汽車、機器人、智能裝備等常州特色產業關聯度高的細分領域。一期項目占地面積100畝，規劃建設面積13.3萬平方米，涵蓋展示交流中心、總部辦公、研發中試中心、科創孵化中心、產業化標桿等。

縱慧芯光項目總投資5.5億元，將建設通信芯片設計、生產中心；快克芯項目總投資10億元，主要從事半導體封裝檢測設備的研發及制造。

常州縱慧芯光半導體科技有限公司（以下簡稱“縱慧芯光”）成立于2015年，是一家創新型的光電半導體企業，致力于為全球客戶提供高功率以及高頻率VCSEL（垂直腔面發射激光器）解決方案，主要研發和生產VCSEL芯片、器件及模組等產品。該公司于2023年8月11日完成了總計1億顆VCSEL芯片的出貨。

目前，縱慧芯光已在常州建設外延產線和封測產線，其中外延產線產能達到每月1000片6寸外延片，明年將達到每月1500片6寸外延片。

武漢光谷將打造化合物半導體企業總部園區

據中國光谷消息，12月20日，光谷宣布投資50億元建設化合物半導體孵化加速及制造基地，明年開工，后年投用。作為總部園區，力爭在3年內引育企業100家。目前已有天工芯測檢測中心項目、芯導傳能等6個項目團隊明確入駐意愿，潔凈室廠房需求達1.7萬平方米。

據消息介紹，總部園區由武漢高科集團投資建設，將借助九峰山實驗室工藝產線和檢測能力等資源，降低開發門檻、縮短開發周期，重點突破設計、設備、材料等產業鏈關鍵環節，完成創新鏈和產業鏈的對接。九峰山實驗室是十大湖北實驗室之一，已建成化合物半導體產業最先進、規模最大的科研及中試平臺。

作為全國四大集成電路產業基地之一，光谷目前已聚集一批集成電路產業龍頭企業，形成了存儲芯片、化合物半導體芯片兩大產業方向，涵蓋設計、制造、裝備、材料及分銷、模組等產業鏈關鍵環節的產業集群。

硅產業總部項目開工

據上海嘉定消息，12月18日，硅產業總部項目奠基儀式在嘉定工業區舉行。該項目由上海新智元電子科技有限公司（以下簡稱“新智元”）建設和運營，將建設集硅產業全球總部、研發、孵化和產業生態為一體的集成電路高科技總部型平臺。

上海硅產業集團執行副總裁、董事會秘書、上海新智元董事長李煒表示，該項目用地面積1.1萬平方米，將新建一座智能化5A甲級總部大樓，總建筑面積超5.4萬平方米，預計2026年3月竣工。

項目建成后，除了在嘉定區打造以集成電路關鍵原材料、器件（包括智能傳感器、AI+IoT等）和關鍵設備、零部件研發集聚的高科技總部型平臺之外，還將打造集成電路產業生態科創集群，聚焦產業關鍵環節，形成“產、投、研、用”一體的科創體系，促進科技成果產業化。

南太湖新區半導體材料產業園計劃今年年底全部結頂

據南太湖發布消息，位于南太湖新區康山街道的材料產業園項目是新區半導體產業園下設的3個子產業園之一，占地面積是155畝，于今年3月25日開工，目前的建設進度是廠房基本上達到2至3層的樓面，計劃今年年底全部結頂。

新區相關負責人表示，目前，45萬平方米半導體專業標準廠房及漢天下、旦迪通信等半導體企業所投項目均在快速建設，預計明年上半年將逐步投入使用。

該區半導體產業園由新區聯合市產業集團與上海張江高科共同規劃打造，包含裝備產業園、材料產業園、封測產業園3個國有公司投資子產業園及多個自建半導體項目，建成后將形成整機與芯片聯動、硬件與軟件結合、產品與服務融合發展的自主創新產業生態。

據悉，截至目前，南太湖新區半導體產業園已累計簽約項目19個，總投資約122億元，初步形成芯片設計、制造、封測、材料、設備全產業鏈生態體系。

和林微納募投項目增加實施主體及實施地點

12月19日，和林微納發布公告稱，公司于2023年12月18日召開第二屆董事會第八次臨時會議、第二屆監事會第六次臨時會議，審議通過了《關于增加募集資金投資項目實施主體及實施地點的議案》，同意增加公司境外全資子公司UIGREEN株式會社為募集資金投資項目“MEMS工藝晶圓測試探針研發量產項目”的實施主體并對應增加實施地點。

根據公告，募投項目變更前的實施主體為和林微納，實施地點為蘇州；募投項目變更后的實施主體為和林微納、UIGREEN株式會社，實施地點為蘇州、日本。

資料顯示，UIGREEN株式會社的經營范圍包括精密模具及金屬部件，沖壓件，微型連接器的設計，生產及銷售；汽車，醫療，通訊類電子塑膠件的設計，生產及銷售；微型電子及聲學產品的設計，生產及銷售；微型半導體測試用品的設計等。

和林微納表示，本次增加UIGREEN株式會社為募投項目“MEMS工藝晶圓測試探針研發量產項目”的實施主體并對應增加實施地點，有助于公司進一步提高募集資金使用效率，推進募投項目的實施，不存在變相改變募集資金投向或損害股東利益的情形，不會對公司產生不利影響。

日本JEL半導體精密自動化設備研發制造基地項目簽約

據常州經開區消息，12月18日，日本JEL半導體精密自動化設備研發制造基地項目簽約落戶常州經開區。

株式會社JEL決定投資約300萬美元在華投資首個制造基地，進一步滿足客戶的國產化需求，租賃常州經開區東方汽車電子產業園約3000平方米廠房建設，達產后預計年銷售將超5億元，后期企業計劃購地自建廠房并設立中國地區研發中心。

資料顯示，株式會社JEL成立于1993年，總部位于日本廣島縣福山市，是一家專業從事半導體晶圓及液晶玻璃基板的自動化解決方案及相關精密零部件的研發、生產及銷售的企業。其產品廣泛應用于半導體設備、醫療設備等高端精密工業領域。目前該公司在華設有北京、上海、深圳等銷售據點。

漢軒車規級功率器件制造項目開工

據徐州高新發布消息，漢軒車規級功率器件制造項目開工建設。項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬平米，潔凈室面積1.4萬平米，滿足6到8英寸晶圓生產需求，是一座專注于車規級功率器件的晶圓代工廠。

該項目規劃VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT、SIC MOS等多個工藝代工平臺，規劃月產能超過6萬片，年銷售收入約13.8億元。項目建成后將進一步完善高新區半導體產業鏈布局，有力推動車硅級功率器件國產化進程。

通用智能SiC晶錠8寸剝離產線正式交付客戶

據通用智能消息，12月16日，通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產線正式交付客戶。

碳化硅由于其高硬度，高脆性特點，在SiC 器件制造領域存在一個瓶頸：晶錠分割工藝過程。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。

通用智能采用激光隱切技術完成SiC晶錠分割工藝過程，并成功實現8寸碳化硅晶錠剝離設備的量產。

資料顯示， 通用智能是一家國際化智能裝備制造企業，致力于高端半導體產業裝備與材料的研發和制造。

清溢光電佛山生產基地落戶南海

據清溢光電官網消息，12月15日，深圳清溢光電股份有限公司（以下簡稱“清溢光電”）與南海區政府簽約，將佛山生產基地落戶南海區丹灶鎮。

清溢光電佛山生產基地計劃投資35億元，整體用地約80畝，主要包含2個項目內容，即高精度掩膜版生產基地建設項目、高端半導體掩膜版生產基地建設項目。

其中，高精度掩膜版生產基地建設項目側重于高精度平板顯示掩膜版的研發與生產，將直面全球顯示技術變革。

高端半導體掩膜版生產基地建設項目，著眼于半導體掩膜版的生產，該項目將進一步助力半導體產業自主可控、走國產化之路。

清溢光電表示，項目落戶將填補佛山在顯示及半導體產業鏈上掩膜版生產的空白，有效推動顯示及半導體產業的發展速度。

合肥矽力杰模擬芯片總部項目開工

據合肥高新發布消息，12月12日，合肥矽力杰模擬芯片總部項目取得《分階段建筑工程施工許可證》并同步開工建設。

該項目位于合肥高新區長寧大道與望江西路交口西北角，供地面積約10畝，建筑面積約5.2萬平方米，新建1棟科研辦公樓及其附屬配套設施，總投資額約5億元，主要進行高功率電源模塊產品研發，致力于促進合肥集成電路產業發展。

項目投產后，將致力于促進合肥集成電路產業發展，完善高新區半導體產業的上下游配套，有力助推一流產業創新集群建設。

資料顯示，矽力杰股份有限公司成立于2008年，主要從事高功率密度、高效率電源管理等高性能模擬類芯片設計，是亞洲最大的獨立模擬芯片設計公司。