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韓國科學(xué)技術(shù)院開發(fā)Micro LED選擇性轉(zhuǎn)移印刷技術(shù)

知識酷Pro ? 來源:LEDinside ? 2023-12-26 13:31 ? 次閱讀

12月19日消息,近日韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)Keon Jae Lee教授領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊在《自然》(Nature)雜志上發(fā)表了一篇題為“應(yīng)用微真空力技術(shù)進(jìn)行通用選擇性轉(zhuǎn)移印刷”的文章,研究團(tuán)隊展示了通過選擇性調(diào)節(jié)微真空力方法,實現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移微型無機(jī)半導(dǎo)體芯片

據(jù)悉,Micro LED是下一代顯示器的光源,采用尺寸小于100 μm的無機(jī)LED芯片打造而成,與LCD、OLED和QD等傳統(tǒng)顯示器相比,Micro LED因其卓越的電/光學(xué)特性、可靠性和穩(wěn)定性而引起了廣泛關(guān)注。但由于Micro LED尺寸較小等緣故,面臨著巨量轉(zhuǎn)移等一系列生產(chǎn)工藝問題。

為能夠解決Micro LED芯片轉(zhuǎn)移效率問題,Keon Jae Lee教授的研究團(tuán)隊開發(fā)了微真空輔助選擇性轉(zhuǎn)移印刷(μVAST)技術(shù),通過調(diào)節(jié)微真空吸力來轉(zhuǎn)移大量的Micro LED芯片。

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微真空輔助選擇性轉(zhuǎn)移印刷(μVAST)技術(shù)(圖片來源:Nature)

據(jù)介紹,μVAST這項關(guān)鍵技術(shù)依靠激光誘導(dǎo)蝕刻(LIE)方法實現(xiàn),這種蝕刻方法可在玻璃基板上以高達(dá)每秒7000個孔的制造速度形成尺寸為20微米并具有高長寬比的微孔陣列。之后LIE方法打造的鉆孔玻璃將與真空通道連接,通過控制所需孔陣列處的微真空力,以選擇性地拾取和放置Micro LED。

與傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)移方法相比,微真空輔助轉(zhuǎn)移印刷技術(shù)實現(xiàn)了更高的粘附可切換性,能夠?qū)⒏鞣N不同材料、尺寸、形狀和厚度的微型半導(dǎo)體高效轉(zhuǎn)移組裝到任意基板上。

Keon Jae Lee教授表示,微真空輔助轉(zhuǎn)移技術(shù)為大規(guī)模、選擇性集成微型高性能無機(jī)半導(dǎo)體提供了一種有意思的工具。

Keon Jae Lee教授還透露,目前,團(tuán)隊正在研究使用噴射器系統(tǒng)(ejector system)對商用Micro LED芯片進(jìn)行轉(zhuǎn)移打印,實現(xiàn)Micro LED大尺寸電視、柔性設(shè)備和可穿戴光療貼片等產(chǎn)品的制造。

值得注意的是,2023年,韓國科學(xué)技術(shù)院的多個研究團(tuán)隊在Micro LED領(lǐng)域有多個新研究成果發(fā)布。

例如,3月,韓國科學(xué)技術(shù)院物理系 Yong-Hoon Cho 教授的研究團(tuán)隊開發(fā)了一項制造超高分辨率LED顯示器的核心技術(shù),通過聚焦離子束(focused ion beams)實現(xiàn)了0.5微米的LED像素,小于頭發(fā)平均厚度的 1/100;

同月,韓國科學(xué)技術(shù)院電氣電子工程系Sang Hyeon Kim教授的研究團(tuán)隊構(gòu)建了一種對側(cè)壁缺陷不敏感的外延結(jié)構(gòu),以解決Micro LED器件小型化導(dǎo)致效率降低的問題。

文章來源:LEDinside

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:韓國科學(xué)技術(shù)院開發(fā)Micro LED選擇性轉(zhuǎn)移印刷技術(shù)

文章出處:【微信號:ZHISHIKU-Pro,微信公眾號:知識酷Pro】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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