隨著半導體技術的發展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。近年來，隨著高質量單晶GaN襯底的商業化，與垂直型Si或SiC電力電子器件結構相近的垂直型GaN（GaN-on-GaN）器件得到快速發展，并逐步由實驗室研究邁向產業化，將具有更大的潛力發揮GaN材料的優勢并提升器件性能。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間，“氮化鎵功率電子器件”技術分會上，深圳大學劉新科研究員做了“低成本垂直GaN功率器件”的主題報告，分享了最新技術進展，涉及閘門工程技術、邊緣終端技術、N極歐姆接觸技術、垂直GaN功率晶體管、GaN基功率器件等內容。

GaN基功率器件具有高頻、高功率、高壓等特點，GaN在GaN技術道路上具有極低的缺陷密度（~103cm-2）；橫向和垂直裝置；在給定的器件面積下，更大的電流和更高的耐受電壓；超高器件可靠性，無電流崩潰等等獨特特性。報告中介紹了GaN上GaN的全HVPE生長（漂移層>20μm），O2處理的低開啟電壓，He注入的高擊穿電壓，2kV雪崩擊穿GaN on GaN JBS，通過N面歐姆工程實現創紀錄的FOM，深圳大學GaN-on-GaN器件的發展。其中，研究顯示，Kelvin探針力顯微鏡（KPFM）的結果顯示了OPT后電勢的降低，表明功函數的增加，這意味著電子很容易穿過金屬-半導體接觸的勢壘。

審核編輯：劉清