澎芯半導體主驅級SiC MOSFET產出良率達到75%
●推出主驅級新品——1200V/15mΩ SiC MOSFET，產出良率75%；
● 已聯合模塊和終端廠商開發出1200V/150A和1200V/400A的模塊產品；
●SiC MOSFET產品系列化布局更加全面，在OBC、光儲充等領域實現批量應用。
車規SiC MOS新品 性能優異
12月12日上午，行家說三代半了解到，澎芯半導體1200V電壓平臺迎來新的成員——1200V/15mΩ的SiC MOSFET產品。
據了解，該產品由澎芯半導體自主設計研發，擁有自主知識產權，并且聯手國內標桿SiC晶圓廠制造完成，產品各項參數性能指標表現非常優異，產出良率達到75%。
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合作開發 新增2款模塊產品
據悉，澎芯半導體在前期工程批已完成各項性能指標的考核驗證，現已聯合模塊客戶(模塊封裝廠)和終端使用客戶共同定義開發出1200V/150A和1200V/400A的模塊產品，后續可提供晶圓和客制化模塊兩大類產品。
產品系列化 發展加速提檔
隨著此產品的推出，澎芯半導體的SiC MOSFET產品系列化布局更加全面，包括以下：
審核編輯：劉清
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原文標題：全國產！主驅級SiC MOSFET高良率達產
文章出處：【微信號：SiC_GaN，微信公眾號：行家說三代半】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
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