近日，Nexperia（安世半導體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領域的杰出表現，榮獲兩項權威大獎：“SiC年度優秀產品獎”和“中國GaN功率器件十強”。這一榮譽充分展示了安世半導體作為基礎半導體全球領導者的強大實力，以及其在三代半領域的深厚積累。

安世半導體一直致力于投資和研發自有氮化鎵工藝技術。目前，其遍布全球的自有化生產基地已經能夠提供真正車規級AEC-Q101認證的產品，展現出業界領先的技術實力。新一代的安世半導體氮化鎵（HEMTs）在導通電阻、開關穩定性以及動態性能等方面均表現出色，引領行業標準。

2023年5月，安世半導體在其級聯型氮化鎵產品系列中推出七款新型E-mode器件，成為業內唯一可同時提供級聯型和增強型氮化鎵器件的供應商。這一創新再次證明了安世半導體在氮化鎵技術領域的領先地位。

未來，安世半導體將繼續深耕氮化鎵和碳化硅領域，持續推出創新產品和技術，以滿足不斷增長的市場需求。我們期待安世半導體在基礎半導體領域繼續保持其全球領導地位，并引領行業向更高標準邁進。