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RF模組sleep狀態下如何做到最低功耗?

利爾達科技集團 ? 2024-01-06 08:13 ? 次閱讀
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RF模組使用者在使RF模組進入Sleep后測試電流時有時會發現模組的功耗和規格書的Sleep狀態電流值對應不上。這種情況都是讓RF模組進入Sleep后,MUC和RF模組鏈接的IO的狀態配置不正確造成的。

那么如何解決呢?本文將對RF模組在Sleep狀態下如何做到最低功耗進行說明。

RF模組sleep時RF模組的IO狀態

先要獲知RF模組Sleep時,RF模組的IO的狀態。該信息可從模組規格書,模組主芯片手冊或者模組主芯片廠家處獲取。下面以SX126X和LLCC68系列模組為例進行說明。

SX126X和LLCC68系列模組主芯片在各個狀態下的各個IO的狀態如下圖所示:

735889e0-ac28-11ee-aa22-92fbcf53809c.png

我們主要關注Sleep狀態下的各個IO的狀態,并進行如下分類:

1

HIZ PD(高阻態下拉):包含IO有 DIO3、DIO2、DIO1

模組的這類IO在sleep時MCU的IO配置為輸入下拉即可。

2

HIZ PU(高阻態上拉):包含IO有 BUSY

模組的這類IO在sleep時MCU的IO配置為輸入上拉即可。

3

HIZ(高阻態無上拉和下拉):包含IO有 MISO、MOSI、SCK

這類IO當模組為Sleep時建議配置MCU的IO為下拉輸入(對應MISO)或輸出低(對應MOSI、SCK)或 模擬輸入

注意:模組的這類IO對應的MCU的IOsleep如果配置為浮空輸入狀態,可能出現MCU內部IO的施密特觸發器在由外部噪聲引起的邏輯電平之間隨機切換。這增加了總體消耗。這種現象是隨機的,可能和溫度、PCB走線等都有關系。

4

IN(輸入無上拉和下拉):包含IO有 NSS

模組的這類IO在sleep時MCU的IO配置為輸出高電平即可。

5

IN PU(輸入上拉):包含IO有 NRESET

模組的這類IO在sleep時MCU的IO配置為輸出高電平即可。

6

模組上有但是主芯片上沒有的CTL1和CTL2

這兩個IO時模組上的高頻開關上的控制引腳,模組sleep時,請把MUC對應的這兩個IO都輸出低電平。

結論

1、實際應用中如果模組的DIO3、DIO2、DIO1 這類IO在sleep時MCU的IO配置為輸入上拉則有可能增加sleep功耗。

2、實際應用中如果模組的BUSY 這類IO在sleep時MCU的IO配置為輸入下拉則有可能增加sleep功耗。

3、實際應用中如果模組的MISO、MOSI、SCK這類IO在sleep時MCU的IO配置為浮空輸入則有可能增加sleep功耗。

4、實際應用中如果模組的NRESET只在模組復位時有電平變化,在模組進出sleep過程中都不要進行電平操作。

5、實際應用中如果模組的CTL1和CTL2如果不輸出低,則高頻開關未關閉,則會增加sleep功耗。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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