超能推薦——負(fù)端5V2.4A同步整流IC U7711
與肖特基整流相比,同步整流的調(diào)整難度就在于其驅(qū)動(dòng)電路的調(diào)校,因此在PC電源的發(fā)展早起,同步整流一般只應(yīng)用在高端產(chǎn)品上,是作為一種展示廠商實(shí)力的手段,主流級(jí)的產(chǎn)品大都使用電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的肖特基整流。
而近年來同步整流的驅(qū)動(dòng)IC有了很大的進(jìn)展,使得同步整流的控制不再是一件高難度的事情,因此現(xiàn)在同步整流已經(jīng)從高端逐步向主流級(jí)市場(chǎng)推進(jìn)。深銀聯(lián)寶科技的同步整流IC已經(jīng)相當(dāng)成熟,在同步整流市場(chǎng)頗有名氣,近期更是針對(duì)性的開發(fā)了多款負(fù)端同步整流IC,今天就來了解一下負(fù)端5V2.4A同步整流IC U7711!
負(fù)端5V2.4A同步整流IC U7711是一款用于替代 Flyback 副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
U7711支持““共地”同步整流配置,也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)。U7711采用輸出直接給VDD供電,不需要輔助繞阻,也不需要VDD電容,降低了系統(tǒng)成本。U7711內(nèi)置智能開通檢測(cè)邏輯防止同步整流誤導(dǎo)通。
U7711
負(fù)端5V2.4A同步整流IC U7711采用5V輸出直接給VDD供電, 無需輔助繞阻,省略了VDD電容,系統(tǒng)成本降低。系統(tǒng)開機(jī)以后,芯片內(nèi)部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。
當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值后(3.2V 典型值),芯片進(jìn)入睡眠模式,同時(shí)內(nèi)部同步整流MOSFET進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài),副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓高于VDD開啟電壓后(3.4V 典型值),芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET 只在副邊續(xù)流期間才能開通。
變壓器副邊續(xù)流階段開始時(shí),同步整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài),副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流,同時(shí)在體二極管兩端形成一負(fù)向Vds電壓(<-500mV)。該負(fù)向Vds電壓遠(yuǎn)小于負(fù)端5V2.4A同步整流IC U7711內(nèi)部MOSFET開啟檢測(cè)閾值,(典型值-200mV),故經(jīng)過開通延遲(典型值 20nS)后內(nèi)部MOSFET開通。
在同步整流MOSFET導(dǎo)通期間,U7711采樣MOSFET漏-源兩端電壓 (Vds)。當(dāng)Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值(典型值-6mV),內(nèi)部MOSFET將在關(guān)斷延遲(Td_off,約20ns)后被關(guān)斷。
U7711
在內(nèi)部同步整流 MOSFET 開通瞬間,芯片漏-源(Drain-Source) 之間會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導(dǎo)致芯片誤動(dòng)作,芯片內(nèi)部集成有前沿消隱電路(LEB)。
在LEB時(shí)間(約 1.12us)內(nèi),關(guān)斷比較器被屏蔽,無法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET,直至消隱時(shí)間結(jié)束。
輕負(fù)載下的同步整流電路在轉(zhuǎn)換效率上并不比肖特基整流有明顯優(yōu)勢(shì),但相比于后者會(huì)釋放高頻諧波的缺點(diǎn),同步整流電路在輕負(fù)載下的“瑕疵”幾乎是可以忽略不計(jì)的,所用的晶體管允許電流逆向通過,因此電流波形是持續(xù)的,電路可以一直工作在持續(xù)狀態(tài)。深圳銀聯(lián)寶同步整流IC,更是您同步整流電路的首選!
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:超能推薦——負(fù)端5V2.4A同步整流IC U7711
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