勢(shì)壘電容（Barrier Capacitance）的大小直接影響了半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能和可靠性。

勢(shì)壘電容CB是由勢(shì)壘區(qū)中的電荷量QB和勢(shì)壘區(qū)的寬度W決定的。勢(shì)壘區(qū)是指PN結(jié)或金屬-半導(dǎo)體接觸處，由于內(nèi)建電場(chǎng)的作用，電子和空穴被限制在兩個(gè)區(qū)域之間形成的一個(gè)耗盡層。勢(shì)壘區(qū)的寬度W是指勢(shì)壘區(qū)在垂直于電流方向上的長(zhǎng)度。

勢(shì)壘電容的大小可以理論的計(jì)算一下：

當(dāng)外加電壓有△U 的變化時(shí)，電荷有△Q 的變化，假設(shè)兩邊的距離為 Xd 時(shí)。勢(shì)壘電容為：

勢(shì)壘電容CB的大小還與勢(shì)壘區(qū)的載流子濃度、內(nèi)建電場(chǎng)強(qiáng)度以及溫度等因素有關(guān)。當(dāng)載流子濃度較高時(shí)，勢(shì)壘區(qū)內(nèi)的電荷量增加，勢(shì)壘電容也會(huì)相應(yīng)增大；當(dāng)內(nèi)建電場(chǎng)強(qiáng)度較大時(shí)，勢(shì)壘區(qū)內(nèi)的電荷量減少，勢(shì)壘電容也會(huì)相應(yīng)減小；當(dāng)溫度升高時(shí)，載流子濃度增加，勢(shì)壘區(qū)內(nèi)的電荷量增加，勢(shì)壘電容也會(huì)相應(yīng)增大。

此外，勢(shì)壘電容還可以用于制備電容器、存儲(chǔ)器等電子設(shè)備。例如，利用金屬-半導(dǎo)體接觸處的勢(shì)壘電容可以實(shí)現(xiàn)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)和制備。非揮發(fā)性存儲(chǔ)器是一種可以在斷電后保持存儲(chǔ)信息的電子設(shè)備，具有廣泛的應(yīng)用前景。

總之，勢(shì)壘電容是半導(dǎo)體器件中的一個(gè)重要參數(shù)，它描述了PN結(jié)或金屬-半導(dǎo)體接觸處的勢(shì)壘對(duì)電荷的存儲(chǔ)能力。勢(shì)壘電容的大小與勢(shì)壘區(qū)的寬度、載流子濃度、內(nèi)建電場(chǎng)強(qiáng)度以及溫度等因素有關(guān)。通過合理設(shè)計(jì)和控制勢(shì)壘電容的大小，可以提高半導(dǎo)體器件的性能和可靠性，實(shí)現(xiàn)各種電子設(shè)備的功能和應(yīng)用。