近日，國內有2個氮化鎵項目公布新進展，合計投資金額達6000萬元。

遠創達、江南大學

新增2個GaN射頻項目

近日，新增的2個GaN相關項目的實施主體分別為遠創達、江南大學，合計投資金額達6000萬元。

●遠創達GaN射頻項目

1月9日，蘇州遠創達科技有限公司對外公示了《年產GaN及LDMOS射頻高功率半導體封裝器件100萬顆項目》的環保驗收情況，公示期為2024年1月4日-2月1日。

據了解，該項目總投資3500萬元，建設于蘇州工業園區，項目建成后，將年產100萬顆GaN及LDMOS射頻高功率半導體封裝器件。

蘇州遠創達科技有限公司成立于2008年8月，主要從事射頻高功率LDMOS半導體技術和產品的開發和生產。“行家說三代半”了解到，蘇州遠創達科技的主要供應商是蘇州英諾迅科技股份有限公司。

●江南大學獲批GaN重點項目

近日，江蘇省2023年度項目立項名單公示，其中江南大學“氮化鎵微波毫米波無線能量轉換芯片關鍵技術研發”項目獲得立項，項目總預算2500萬元，省財經費支持1000萬元。

據介紹，該項目由江南大學物聯網工程學院敖金平教授團隊牽頭組織，聯合蘇州實驗室、蘇州納維科技有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所、無錫華潤安盛科技有限公司、南京大學、江蘇能華微電子科技發展有限公司共同參與，擬在氮化鎵基微波毫米波無線能量轉換芯片相關方面取得突破性進展，實現關鍵技術從“實驗室”走向“生產線”。

目前，江南大學建有寬帶隙/超寬禁帶半導體材料與器件實驗室，擁有材料生長和器件工藝超凈間，器件制備用的光刻機、等離子體刻蝕機、磁控濺射臺、快速熱退火系統等全套工藝設備，具有完整的材料生長、器件制備及測試評價能力。

2024年以來

還有3起GaN項目公布動態

今年1月，國內還有3起GaN項目同時迎來新動態：

● 芯睿半導體氮化鎵晶圓廠項目：該項目簽約落地福州新區，由福建芯睿半導體有限公司建設。目前該項目還未披露更多信息，“行家說三代半”將持續跟進該項目進展，敬請關注。

● 福州半導體氮化鎵外延片項目：該項目簽約落地福州新區，由福州鎵谷半導體有限公司建設，主營第三代半導體的研發與生產，預計投入10億元，用地86畝，達產后年產能24萬片，產值數十億元，上市市值可達數百億元。

● 國微納總部項目：該項目簽約落地蘇州高新區，由蘇州國微納半導體設備有限公司建設，總投資近7億元，旨在打造第三代半導體氮化鎵及碳化硅外延設備總部基地。

審核編輯：劉清