臺積電封裝專利公開，可減少漏電現象
據天眼查信息披露，臺積電一枚關于“半導體晶粒封裝及其形成方法”的專利已于1月16日公開，公示編號為CN117410278A。這是一款基于3D WOW（晶片疊晶片）封裝方式的芯片解決方案，能有效減少漏電現象。
根據專利概述，該技術將包含在第一半導體晶粒組件區域上的高介電常數介電層作為關鍵部分。硅穿孔結構被引入到組件區域中，實現連接功能。而高介電常數介電層在本質上帶有負電荷，能起到調整組件區電位和耦合電壓的作用。尤其值得注意的是，這種介電層中的電子載流子能夠吸引組件區中的電洞載流子，從而抑制因刻蝕凹陷造成的表面缺陷引發的陷阱輔助通道，進而降低電流泄漏的風險。
此外，臺積電于1月18日召開新聞發布會，報告了2023年的業績情況。全年營收達到692.98億美元，新臺幣毛收入高達2.1617萬億元，同比下降4.5%。公司在2023年的實際資本開支達到了304.5億美元，其中約70%-80%都投入到了先進制程技術研發環節。
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