早期的存儲(chǔ)器只能寫一次，隨后紫外線擦寫的存儲(chǔ)器問(wèn)世，支持上千次讀寫操作。

隨著技術(shù)的發(fā)展，閃存的讀寫越來(lái)越快，讀寫次數(shù)也越來(lái)越多。十萬(wàn)次讀寫已經(jīng)是目前最低配置，百萬(wàn)次讀寫將成為標(biāo)配。

如今，存儲(chǔ)器的價(jià)格已不再是20年前昂貴買不起的價(jià)格，基本可以用“白菜價(jià)”來(lái)形容了。所以，現(xiàn)在MCU內(nèi)部集成存儲(chǔ)的容量越來(lái)越大，性能也越來(lái)越高。

今天結(jié)合瑞薩RL78系列單片機(jī)支持百萬(wàn)次讀寫的數(shù)據(jù)閃存（Data Flash）給大家講述一下其讀寫方法。

數(shù)據(jù)閃存（Data Flash）概述

最近這些年推出的大部分MCU，基本都有供用戶可編程和使用的Flash，RL78系列MCU也是類似的Flash，官方叫數(shù)據(jù)閃存（Data Flash）。

數(shù)據(jù)閃存（Data Flash）可供用戶存儲(chǔ)產(chǎn)品的標(biāo)定參數(shù)、運(yùn)行數(shù)據(jù)等，這樣就可以免去片外存儲(chǔ)器件，有效的降低了用戶的硬件成本。

Data Flash特點(diǎn)：

用戶能基于瑞薩官方提供的庫(kù)來(lái)使用MCU內(nèi)部的數(shù)據(jù)閃存，雖然MCU內(nèi)部的閃存仍以1K字節(jié)塊作為單位，但是用戶可以按照字節(jié)進(jìn)行讀寫。

RL78資源的不同，對(duì)應(yīng)的內(nèi)部數(shù)據(jù)閃存的大小也不盡相同，一般大小在2K-8K字節(jié)范圍之間，就單個(gè)地址，當(dāng)前讀寫次數(shù)能達(dá)到1,000,000次，可在1.8-5.5伏電壓范圍內(nèi)進(jìn)行操作。

Data Flash使用說(shuō)明

Data Flash應(yīng)用庫(kù)的下載：

如果你用的是CC-RL編譯器，請(qǐng)?jiān)谌缦碌刂废螺d應(yīng)用庫(kù)和API應(yīng)用文檔：

https://www.renesas.cn/cn/zh/document/upr/data-flash-library-type04-ver105-cc-rl-compiler-rl78-family?language=en

如果你用的是CA78K0R編譯器，請(qǐng)?jiān)谌缦碌刂废螺d應(yīng)用庫(kù)和API應(yīng)用文檔：

https://www.renesas.cn/cn/zh/document/upr/data-flash-library-type04-ver105-ca78k0r-compiler-rl78-family

（提醒：請(qǐng)復(fù)制鏈接到瀏覽器下載）

避開MCU內(nèi)部RAM相關(guān)區(qū)域：

根據(jù)MCU的硬件手冊(cè)和《Self RAM list of Flash Self-Programming Library for RL78 Family》規(guī)定，有些MCU的RAM部分區(qū)域不能被數(shù)據(jù)庫(kù)使用，因此需要在section設(shè)置進(jìn)行避開，否則編譯會(huì)出錯(cuò)，不同MCU要求也不盡相同，以R5F100LE為例，閃存庫(kù)僅能使用RAM FFE00H ～ FF2FFH以外的區(qū)域，如下。

如下是基于R5F100LE在CS+上的具體section配置，以避開相應(yīng)的區(qū)域，其他型號(hào)的MCU也可參考。

Data Flash測(cè)試

把RL78閃存庫(kù)加載到應(yīng)用工程里，然后調(diào)用初始化和讀寫函數(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)的操作，當(dāng)前使用RL78G13硬件板型號(hào)是“YRPBRL78G13”。然后在R5F100LE Data Flash的起始地址連續(xù)寫一串?dāng)?shù)據(jù)“0x11,0x22,0x33, … 0xCC，并把它們讀出出來(lái)，數(shù)據(jù)定義以及應(yīng)用代碼如下:

unsigned char Execute_status;    
unsigned char W_DataFla_buff[3]  = {0x11,0x22,0x33};
unsigned char W_DataFla_buff1[3] = {0x44,0x55,0x66};
unsigned char W_DataFla_buff2[3] = {0x77,0x88,0x99};
unsigned char W_DataFla_buff3[3] = {0xAA,0xBB,0xCC}; 
unsigned char R_DataFla_buff[12]; 
unsigned long int address=0x00;
         R_FDL_Init(); 
       Execute_status = R_FDL_BlankCheck(0x00,1024);
        if (Execute_status == 0x1b) 
        {
        R_FDL_Erase(0x00);
        }  
        R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff[0],3); 
        address+=3;
        R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff1[0],3); 
        address+=3;
        R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff2[0],3); 
        address+=3;
        R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff3[0],3); 
        address+=3;
        Execute_status = R_FDL_Iverify(0x00,1024);
        if (Execute_status == 0x1b) 
        {
                return;   


        }     
        R_FDL_Read(0x00,&R_DataFla_buff[0],12);
        PFDL_Close();

代碼在硬件板“YRPBRL78G13”上運(yùn)行測(cè)試結(jié)果如下，執(zhí)行正確。

審核編輯：劉清