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臺積電的1納米技術挑戰與成本壓力的博弈

半導體芯情 ? 來源:半導體芯情 ? 2024-01-22 14:18 ? 次閱讀
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據悉,臺積電1nm制程將落腳嘉義科學園區,臺積電已向相關管理局提出100公頃用地需求,其中40公頃將先設立先進封裝廠,后續的60公頃將作為1nm建廠用地。業界估,臺積電1nm總投資額將逾萬億新臺幣。臺積電回應表示,選擇設廠地點有諸多考量因素,不排除任何可能性。

1納米尺寸的芯片制造面臨著物理極限的挑戰,可能導致晶體管的性能下降甚至失效。作為半導體行業的重要參與者之一,臺積電已經宣布開始研發1納米工藝。然而,這項工作不僅充滿了技術挑戰,還伴隨著巨大的成本壓力。

從技術的角度來看,制造1納米芯片需要克服許多困難。量子隧穿現象是其中之一,因為當尺寸縮小到1納米時,電子會發生量子隧穿現象,這會導致晶體管的性能受到限制。此外,納米級別的制造過程也會面臨更多的工藝控制和材料選擇挑戰。由于這些技術難題,制造商們需要投入大量的研發資源和資金來克服這些問題。

然而,成本是制造1納米芯片面臨的另一個巨大挑戰。在目前的工藝水平下,制造1納米芯片的成本可能會遠遠超過現有水平。外部觀察指出,1納米工藝的研發和生產需要巨額投資,而且成本可能會遠遠超出當前工藝水平。報告還指出,下一代EUV光刻機的預計成本約為4億美元,比目前的1.5億美元提高了2.8倍。因此,制造商們需要找到解決高昂成本問題的方法。

盡管面臨諸多挑戰,實現1納米工藝的承諾對于未來半導體技術的發展至關重要。然而,要實現這一目標,制造商們不僅需要克服技術難題,還需要尋找降低成本的方法。這使得半導體行業的未來發展充滿了挑戰和不確定性。臺積電去年就開始組建團隊研發1.4納米工藝,預計該工藝將于2026年問世,而1納米工藝芯片可能要到2028年才能量產。

審核編輯:黃飛

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原文標題:臺積電1nm建廠地址確定?

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