據(jù)報道，韓國三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術的芯片，稱為 SF3。韓國知名權威新聞媒體《朝鮮日報》報道稱，三星現(xiàn)已試產(chǎn)第二代 3 納米工藝芯片 SF3。報道提到，三星預計在未來六個月內(nèi)，該芯片的良率將超過 60%。

據(jù)《電子時報》報道，三星正在測試在 SF3 節(jié)點上制造的芯片的性能和可靠性。這是三星使用 SF3 工藝的首款芯片，預計將設計用于可穿戴設備。公司很可能會在三星 Galaxy Watch 7 和其他設備發(fā)布之際，正式推出這款芯片。

SF3 工藝是一種 3 納米級技術，它是在三星首代 3 納米工藝的基礎上發(fā)展起來的。這一新工藝預計將領跑人工智能時代，它將能夠生產(chǎn)出更高效、更強大的芯片。SF3 芯片的試生產(chǎn)是 SF3 節(jié)點全面生產(chǎn)的關鍵一步。完成試生產(chǎn)后，公司預計將于今年晚些時候開始全面生產(chǎn)。《朝鮮日報》表示，三星預計也將使用此節(jié)點生產(chǎn) Exynos 2500 芯片。這款芯片很可能會在明年的三星 Galaxy S25 系列手機中首次亮相。

三星先前已聲明計劃在今年下半年開始 SF3 芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。公司今年將集中生產(chǎn)其 3 納米芯片 SF3（3GAP）及其更優(yōu)版本 SF3P（3GAP+）。至于 2 納米節(jié)點，三星已經(jīng)確認，計劃在兩年內(nèi)推進其計劃。

據(jù)三星公司介紹，SF3 節(jié)點可以在同一芯片單元中實現(xiàn)不同的全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管納米片通道寬度，提供更大的設計靈活性。這也可以使芯片消耗更低的功率，表現(xiàn)出更高的性能，并通過優(yōu)化設計提高晶體管密度。