最近，在先進封裝領域又出現(xiàn)了一個新的名詞“3.5D封裝”，以前聽慣了2.5D和3D封裝，3.5D封裝又有什么新的特點呢？還是僅僅是一個吸引關注度的噱頭？

今天我們就詳細解讀一下。

首先，我們要了解以下幾個名詞的確切含義，2.5D，3D，Hybrid Bonding，HBM。

2.5D

在先進封裝領域，2.5D是特指采用了中介層（interposer）的集成方式，中介層目前多采用硅材料，利用其成熟的工藝和高密度互連的特性。 雖然理論上講，中介層中可以有TSV也可以沒有TSV，但在進行高密度互聯(lián)時，TSV幾乎是不可缺少的，中介層中的TSV通常被稱為2.5D TSV。 2.5D封裝的整體結構如下圖所示。

3D

和2.5D是通過中介層進行高密度互連不同，3D是指芯片通過TSV直接進行高密度互連。 大家知道，芯片面積不大，上面又密布著密度極高的電路，在芯片上進行打孔自然不是容易的事情，通常只有Foundry廠可以做得到，這也是為什么到了先進封裝時代，風頭最盛的玩家成了TSMC, Intel, Samsung這些工藝領先的芯片廠商。因為最先進的工藝掌握在他們手里，在這一點上，傳統(tǒng)的OSAT還是望塵莫及的。 在芯片上直接生成的TSV則被稱為3D TSV，3D封裝的整體結構如下圖所示。

Hybrid Bonding

Hybrid Bonding混合鍵合技術，是一種在相互堆疊的芯片之間獲得更密集互連的方法，并可實現(xiàn)更小的外形尺寸。 下圖是傳統(tǒng)凸點和混合鍵合技術的結構比較，傳統(tǒng)凸點間距是 50 微米，每平方毫米有大約 400 個連接。混合鍵和Hybrid Bonding大約 10 微米的間距，可達到每平方毫米 10,000 個連接。

采用Hybrid Bonding技術可以在芯片之間實現(xiàn)更多的互連，并帶來更低的電容，降低每個通道的功率。 下圖是傳統(tǒng)凸點技術和混合鍵合技術的加工流程比較，混合鍵合技術需要新的制造、操作、清潔和測試方法。

從圖中我們可以看出，傳統(tǒng)凸點焊接技術兩個芯片中間是帶焊料的銅柱，將它們附著在一起進行回流焊，然后進行底部填充膠。 混合鍵合技術與傳統(tǒng)的凸點焊接技術不同，混合鍵合技術沒有突出的凸點，特別制造的電介質表面非常光滑，實際上還會有一個略微的凹陷。在室溫將兩個芯片附著在一起，再升高溫度并對它們進行退火，銅這時會膨脹，并牢固地鍵合在一起，從而形成電氣連接。 混合鍵合技術可以將間距縮小到10 微米以下，可擴展的間距小于1微米，可獲得更高的載流能力，更緊密的銅互聯(lián)密度，并獲得比底部填充膠更好的熱性能。

HBM

隨著人工智能技術的發(fā)展和需求，HBM現(xiàn)在越來越火熱。 HBM（High-Bandwidth Memory ）高帶寬內存，主要針對高端顯卡GPU市場。HBM使用了3D TSV和2.5D TSV技術，通過3D TSV把多塊內存芯片堆疊在一起，并使用2.5D TSV技術把堆疊內存芯片和GPU在Interposer上實現(xiàn)互連。下圖所示為HBM技術示意圖。

HBM既使用了3D封裝技術和2.5D封裝技術，應該歸屬于哪一類呢？有人認為HBM屬于3D封裝技術，也有人認為屬于2.5D封裝技術，其實都不確切。 通過和HMC的比較，就能得出正確的結論。 HMC（Hybrid Memory Cube）混合存儲立方體，和HBM結構非常相似，HMC通過3D TSV集成技術把內存控制器（Memory Controller）集成到DRAM堆疊封裝里。下圖所示為HMC技術示意圖。

對比HBM和HMC，我們可以看出，兩者很相似，都是將DRAM芯片堆疊并通過3D TSV互連，并且其下方都有邏輯控制芯片。 兩者的不同在于：HBM通過Interposer和GPU互連，而HMC則是直接安裝在Substrate上，中間缺少了Interposer和2.5D TSV。 在《基于SiP技術的微系統(tǒng)》一書中，我總結了12種當今最主流的先進封裝技術。下表是對這些主流先進封裝技術橫向比較。

可以看出，現(xiàn)有的先進封裝技術中，HBM是唯一一種具備3D+2.5D的先進封裝技術。 如果HMC被稱為3D封裝，那么比其多了Interposer和2.5D TSV的HBM應該被稱為什么呢？ 一種新的封裝命名需要呼之欲出了！ 按照以往的命名規(guī)則，2D封裝加上Interposer后就變成了2.5D，那么3D封裝加上Interposer自然就變成了3.5D，既合情合理，又符合了通用的命名法則。

3.5D

什么是3.5D，最簡單的理解就是3D+2.5D，不過，既然有了全新的名稱，必然要帶有新的技術加持，這個新技術是什么呢？ 就是我們前文講述的混合鍵和技術Hybrid Bonding。 混合鍵合技術應用于3D TSV的直接互連，省卻了Bump，其界面互連間距可小于10um甚至1um，其互連密度則可達到每平方毫米10000~1000000個點。

這是傳統(tǒng)的凸點互連遠遠無法達到的，因此，在高密度的3D互連中，凸點最終會消失，如下圖所示，這一點也是我在以前的文章中闡述過的。

目前來說，3.5D就是3D+2.5D，再加上Hybrid Bonding技術的加持。

封裝技術分類

由于3.5D的提法已逐漸被業(yè)界所普遍接受，我因此也更新一下電子集成技術的分類法，將3.5D放到了列表中。 這樣，電子集成技術就分為：2D，2D+，2.5D，3D，3.5D，4D六種，如下圖所示：

在更新的分類方法中，我并未強調Hybrid Bonding混合鍵合技術，因此，3.5D最簡單的理解就是3D+2.5D。

在高密度先進封裝的3D互連中，凸點必將消失，混合鍵合Hybrid Bonding是必然的趨勢，因此也就無需特意強調了。

在12種當今最主流的先進封裝技術中，只有HBM滿足3D+2.5D結構，因此，HBM可以說是第一種真正的3.5D封裝技術。

審核編輯：湯梓紅