這篇文章寫到現(xiàn)在我都不記得要寫了啥了。因?yàn)槠綍r(shí)沒(méi)事就打開(kāi)寫一點(diǎn)。

首先是ESP32-C3只支持BLE，也就是數(shù)據(jù)是以packet出現(xiàn)的。不支持普通的藍(lán)牙，也就是數(shù)據(jù)的處理的時(shí)候是可以字符串去操作的。

還有就是任何有發(fā)送功能，就像藍(lán)牙，WIFI，NRF這些芯片的PCB都是4層板，因?yàn)橐ＷC性能。

這個(gè)就是普通的比如ESP32這個(gè)有通用藍(lán)牙的芯片，就是調(diào)用的這個(gè)庫(kù)

另外如果是有使用外置的這些開(kāi)發(fā)板

裝上面這個(gè)By ESP的

這個(gè)是這樣的

可以看到讀寫的命令很簡(jiǎn)單

BluetoothSerial::begin(String localName=String(), bool isMaster=false)

藍(lán)牙初始化方法這里寫入藍(lán)牙名稱

BluetoothSerial::connect(uint8_t remoteAddress[])

連接指定藍(lán)牙的方法 參數(shù)是指定藍(lán)牙設(shè)備的MAC地址

BluetoothSerial::available()

檢查藍(lán)牙接收的寄存器中是否有數(shù)據(jù) 返回值是藍(lán)牙寄存器中剩的字節(jié)數(shù)

BluetoothSerial::write()

見(jiàn)文生意 藍(lán)牙發(fā)送數(shù)據(jù)的方法 每次只能寫入一字節(jié) 但是還有

write(const uint8_t *buffer, size_t size)

不定長(zhǎng)寫入方式

BluetoothSerial::read()

一樣見(jiàn)文生意 讀取藍(lán)牙數(shù)據(jù)的方法 每次讀取1字節(jié) 藍(lán)牙寄存器采用的先進(jìn)先出 read()每調(diào)用一次 藍(lán)牙數(shù)據(jù)寄存器的字節(jié)就-1

BluetoothSerial::register_callback()

該方法用來(lái)登記回調(diào)函數(shù) 不了解回調(diào)函數(shù)的請(qǐng)自行百度。

？？？？

牛逼 ，普通藍(lán)牙沒(méi)有居然是？？？

原來(lái)如此

有各種網(wǎng)絡(luò)拓?fù)?/p>

對(duì)比

服務(wù)器宣傳它的存在，因此它可以被其它設(shè)備發(fā)現(xiàn)并包含客戶端可以讀取的數(shù)據(jù)。客戶端掃描附近的設(shè)備，當(dāng)它找到它正在尋找的服務(wù)器時(shí)，它會(huì)建立連接并監(jiān)聽(tīng)傳入的數(shù)據(jù)。這稱為點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信。

GATT 代表通用屬性，它定義了向連接的 BLE 設(shè)備公開(kāi)的分層數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這意味著 GATT 定義了兩個(gè) BLE 設(shè)備發(fā)送和接收標(biāo)準(zhǔn)消息的方式。理解這個(gè)層次結(jié)構(gòu)很重要，因?yàn)樗梢愿菀椎乩斫馊绾螌?BLE 與 ESP32 一起使用。

Profile：針對(duì)特定用例的標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)集合；

Service：收集相關(guān)信息，如傳感器讀數(shù)、電池電量、心率等；

Characteristic：它是實(shí)際數(shù)據(jù)保存在層次結(jié)構(gòu)（值）上的位置；

Descriptor：關(guān)于數(shù)據(jù)的元數(shù)據(jù)；

Properties：描述如何與特征值交互。例如：讀、寫、通知、廣播、指示等。

這個(gè)就是UUID

里面有這個(gè)寫入時(shí)候的操作

對(duì)應(yīng)的要操作的回調(diào)函數(shù)

可以把特征值定為寫入類型, 這樣客戶端可以給我們寫入, 觸發(fā)寫入回調(diào)函數(shù)。 這段代碼定義了一個(gè)名為 MyCallbacks 的C++類，該類繼承自 BLECharacteristicCallbacks。 BLECharacteristicCallbacks 是一個(gè)用于處理BLE特征（characteristic）的回調(diào)函數(shù)的基類。 在 MyCallbacks 類中，定義了一個(gè)名為 onWrite 的回調(diào)函數(shù)，該函數(shù)將在BLE特征被寫入（write）時(shí)被調(diào)用。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)遠(yuǎn)程設(shè)備向BLE特征寫入數(shù)據(jù)時(shí)，這個(gè)回調(diào)函數(shù)會(huì)被觸發(fā)。 以下是 onWrite 回調(diào)函數(shù)的主要功能：

voidonWrite(BLECharacteristic*pCharacteristic):

這是一個(gè)回調(diào)函數(shù)的聲明，接受一個(gè)指向 BLECharacteristic 對(duì)象的指針作為參數(shù)。該參數(shù)指向觸發(fā)寫入事件的BLE特征對(duì)象。

在函數(shù)體內(nèi)部，首先通過(guò) pCharacteristic->getValue() 獲取到從遠(yuǎn)程設(shè)備寫入的數(shù)據(jù)，將其存儲(chǔ)在名為 rxValue 的字符串中。 然后，檢查 rxValue 的長(zhǎng)度，如果長(zhǎng)度大于0，表示接收到了有效的數(shù)據(jù)。 如果有有效數(shù)據(jù)，就會(huì)通過(guò)串口（Serial）輸出一條包含接收到的數(shù)據(jù)的消息，用多個(gè) Serial.print 語(yǔ)句來(lái)逐個(gè)打印接收到的字符。 后面為了有補(bǔ)全，我使用了PlatformIO，但是遇到了大家都遇到的問(wèn)題，就是創(chuàng)建項(xiàng)目非常慢！

C:Userszyy18.platformiopenvScripts

把上面的路徑加到環(huán)境變量里面

首先，需要確保C:Users[你的用戶名].platformiopenvScripts這個(gè)目錄已經(jīng)在環(huán)境變量中了
并且默認(rèn)的Python就是這個(gè)路徑下的python
其次，打開(kāi)你的powershell，輸入如下命令
mkdir [你的工程文件夾名稱]
cd [你的工程文件夾名稱]
pio project init --board esp32dev # 這句是核心

我們使用命令行來(lái)生出一個(gè)新項(xiàng)目

具體的板子的名稱可以去官網(wǎng)看

這個(gè)就是它的名字

你可以更改一個(gè)keyword來(lái)說(shuō)明要使用什么編程環(huán)境

事實(shí)上，這個(gè)東西也是有的

可以去選擇各種的功能，給IDF設(shè)置

其實(shí)慢的原因是pip的源是國(guó)外的

本來(lái)就沒(méi)有多少引腳，后面一看更沒(méi)有了，天生的遙控芯片

可以跟著這個(gè)看

USB是內(nèi)置的，但是不可以使用CDC的USB通用功能

這個(gè)是官方的開(kāi)發(fā)板上面使用的按鍵

這個(gè)是原理圖的示意圖

官方的按鍵連接是有電容的

這個(gè)是jlc的一個(gè)項(xiàng)目，按鍵是電容的

我以前大學(xué)的時(shí)候也做過(guò)類似的東西

使用一個(gè)MOS管來(lái)當(dāng)開(kāi)關(guān)

大家現(xiàn)在都喜歡MOS管，這里也是開(kāi)關(guān)

本來(lái)是需要設(shè)計(jì)這個(gè)電池充電的部分的，但是現(xiàn)在為了快速就不考慮了

以下的內(nèi)容來(lái)說(shuō)明，ESP32-C3不是低功耗的，而且對(duì)于電池應(yīng)用來(lái)講是不可行的。

接下來(lái)就是喜聞樂(lè)見(jiàn)的電池

大概就是這么大

對(duì)于隨機(jī) CR2032(典型的 Ir 被稱為 10-40 歐姆 (10,000-40,000mOhm)?？梢詫?nèi)阻視為與理想電壓源串聯(lián)的電阻。

現(xiàn)在，當(dāng)ESP32啟動(dòng)時(shí)，它可以輕松拉取300mA。

即使在最好的情況下（Ir=10 歐姆），這也意味著內(nèi)阻會(huì)消耗可用 3V 電壓中的（U=I*R，0.3A*10ohm=）3V。

換句話說(shuō)，當(dāng) ESP32 啟動(dòng)時(shí)，它會(huì)從不良的 CR2032 中拉出大量電流，導(dǎo)致電壓完全降至零，從而ESP32 復(fù)位/崩潰。

可以看到就是到了300mA以上的電流，應(yīng)該就是峰值了

很多帖子聲稱啟動(dòng)期間甚至在 RF 初始化之前就有高達(dá) 300mA 的峰值，然后在 WiFi 或 BT 啟動(dòng)時(shí)出現(xiàn)額外的浪涌。處理這個(gè)問(wèn)題的通常方法確實(shí)是在電源上安裝一個(gè)巨大的電容器。

研究 ESP32，所以在電源上串聯(lián)了一個(gè) 1R 電阻來(lái)檢查啟動(dòng)時(shí)的電源電流。-電流是需要串流進(jìn)去的。

黃色線，1 歐姆，因此 1V = 1mA。

RST——釋放復(fù)位按鈕。 1 - 它進(jìn)入 arduino setup()，它做的第一件事是脈沖 GPIO（藍(lán)色跡線），以便顯示在示波器上。 4 - 頻率降低至 80MHz，這確實(shí)減少了一點(diǎn)電流消耗。 3 - WiFi 已啟用，因此與應(yīng)用程序無(wú)關(guān)。當(dāng)前的峰值比圖表顯示的要高得多。 在 RST 和 1 之間，你無(wú)法控制，它正在執(zhí)行引導(dǎo)加載程序和啟動(dòng)代碼，并且在 250ms 內(nèi)消耗約 55mA 的電流。對(duì)于 CR2032 來(lái)說(shuō)這已經(jīng)是相當(dāng)多了，令人驚訝的是它甚至能夠初始化串口并打印一些東西。電池一定是新的！ 上面說(shuō)的電容器有幫助嗎？ i=C dv/dt，因此 C=i dt/dv。為了使輸入電壓在 dt=0.25s 期間、i=55mA 期間從 6V 降至 3.5V (dv=2.5V)，C=5500μF，與電池并聯(lián)放置在電源開(kāi)關(guān)之前。不完全實(shí)用，也不是很“薄和時(shí)尚”，但可行。 為了減少電流，必須破解 SDK 以插入一些在啟動(dòng)時(shí)立即執(zhí)行的代碼。也許可以降低時(shí)鐘速度，或者插入一些周期性睡眠以減少平均電流消耗。當(dāng)然，無(wú)法修改 ROM 引導(dǎo)加載程序，因此如果它想在運(yùn)行代碼之前讀取整個(gè)閃存以對(duì)其進(jìn)行校驗(yàn)和， 我不打算這樣做，但如果你真的想以 5mA 的電流運(yùn)行 ESP，我想你必須重新編譯 SDK 和引導(dǎo)加載程序. 如果啟動(dòng)后這種情況發(fā)生得相當(dāng)快，那么此時(shí)你也許可以將其重新配置為低功耗，并使用更小的電容器。 如果你不使用 arduino“框架”，而是使用 espressif SDK，它的行為可能會(huì)有所不同（如果啟動(dòng)速度更快就好了）。 另一個(gè)潛在的罪魁禍?zhǔn)资?LDO。它是一個(gè)微功率 LDO，速度往往非常慢，并且需要很長(zhǎng)時(shí)間才能對(duì)脈沖負(fù)載做出反應(yīng)：

這個(gè)是靜態(tài)的漏電流來(lái)著

有人設(shè)計(jì)了一個(gè)這樣的板子，老外喜歡的不行

扛不住的電池，換成了鋰電池

對(duì)于低電池功耗設(shè)備，

使用 MCP1703 LDO（2μA 靜態(tài)電流）可能比使用 65μA 的 SE5218 更好。

其實(shí)一點(diǎn)都不低功耗

確實(shí)，人家文檔自己也說(shuō)了

這里就看看沖牙器的按鍵

都是這種按壓的

這個(gè)是不清晰的圖

都是這樣的

反正都是這種按鍵，這里是我拆了幾個(gè)

Apple Watch的按鍵是這樣的

旋鈕

電源管理單元采用的是Micro-USB充電接口和一顆型號(hào)為L(zhǎng)TH9鋰電池充放電管理芯片，并在芯片的引腳1處連接了一顆100K的電阻和10μF電容構(gòu)成一個(gè)RC吸收回路，用來(lái)抑制電路中的浪涌電壓，規(guī)避充電電壓過(guò)高的問(wèn)題。

為了避免直流電機(jī)在運(yùn)行過(guò)程中，電刷與轉(zhuǎn)子之間摩擦產(chǎn)生的電火花以及高頻的噪聲，這款電動(dòng)沖牙器在離電刷與轉(zhuǎn)子最近的兩極側(cè)，并聯(lián)了一個(gè)顆0.1μF的陶片電容，用以抑制其他因素對(duì)電機(jī)運(yùn)行的影響，保證電路正常工作。

電機(jī)并聯(lián)電容的設(shè)計(jì)在很多小型的電動(dòng)設(shè)備中普遍都有使用，這主要還是廠商考慮到了電容對(duì)電火花和高頻噪聲抑制效果的問(wèn)題。由于電容對(duì)噪聲與電火花的抑制效果受會(huì)電容到電機(jī)的距離影響，當(dāng)電容離噪聲源越遠(yuǎn)時(shí)，諧振頻率就會(huì)降低，消除噪聲的效果自然會(huì)變差，因此這也是為什么這顆電容放在電機(jī)兩極的原因。

本文的開(kāi)發(fā)板改裝于這個(gè)，超小板子，0201封裝

哥們呢，眼神不行，就0603了。。。

記得在這里批量修改封裝

它這個(gè)的LDO漏電流很小，是下面面寫的很小封裝的LDO

這個(gè)是官方使用的LDO

使用固定輸出

老師傅才不管呢，直接10.0.1

這個(gè)是原版的LDO

超小封裝，我覺(jué)得就沒(méi)有這個(gè)必要了

右下角

原版這個(gè)的電容可以濾波一下

直接在Type-C上面取電

官方的有著完善的保護(hù)系統(tǒng)

LDO也支持最小2.7V的輸入，也就是說(shuō)鋰電池OK

官方的是

UART->USB

這個(gè)是控制芯片的模式

圓弧的走線看著就是可愛(ài)

第一次見(jiàn)圓弧的

放大看

在這里設(shè)置

1. 最小線寬: 6mil （0.153mm） 。也就是說(shuō)如果小于6mil線寬將不能生產(chǎn),如果設(shè)計(jì)條件許可,設(shè)計(jì)越大越好,線寬越大，工廠越好生產(chǎn)，良率越高 一般設(shè)計(jì)常規(guī)在10mil左右。 2. 最小線距: 6mil（0.153mm）.。最小線距，就是線到線，線到焊盤的距離不小于6mil 從生產(chǎn)角度出發(fā)，是越大越好，一般常規(guī)在10mil,當(dāng)然設(shè)計(jì)有條件的情況下，越大越好。 3.線路到外形線間距0.508mm(20mil) 線寬原則：一般情況下，信號(hào)線寬為0.3mm(12mil)，電源線寬為0.77mm(30mil)或1.27mm(50mil)； 線隙原則：線與線之間和線與焊盤之間的距離大于等于0.33mm(13mil)，實(shí)際應(yīng)用中，條件允許時(shí)應(yīng)考慮加大距離； 布線密度較高時(shí)，可考慮（但不建議）采用IC腳間走兩根線，線的寬度為0.254mm(10mil)，線間距不小于0.254mm(10mil)。 英寸(")是美洲體系的常用規(guī)格單位，如鋼管、閥門、法蘭、彎頭、泵、三通等，如規(guī)格是10"。 英寸(inch,縮寫為in.)在荷蘭語(yǔ)中的本意是大拇指，一英寸就是一節(jié)大拇指的長(zhǎng)度。當(dāng)然人的大拇指的長(zhǎng)度也是長(zhǎng)短不一的。14世紀(jì)時(shí)，英皇愛(ài)德華二世頒布了“標(biāo)準(zhǔn)合法英寸”。 其規(guī)定為：從大麥穗中間選擇三粒最大的麥粒并依次排成一行的長(zhǎng)度就是一英寸。 英寸與公制的換算如下：

1"=2.54cm=25.4mm
1mil = 1/100 " = 0.254 mm

早期的設(shè)計(jì)，主打一個(gè)信號(hào)通暢

把引腳拉一些出來(lái)

對(duì)于信號(hào)傳輸來(lái)說(shuō)，可以平滑阻抗，減小阻抗的急劇跳變；避免高頻信號(hào)傳輸時(shí)由于線寬突然變小而造成反射，可使走線與元件焊盤之間的連接趨于平穩(wěn)過(guò)渡化。

在工具這里設(shè)置

這個(gè)差分布線是很方便的

這個(gè)是在布局的時(shí)候，點(diǎn)一下讓它去下面

關(guān)鍵信號(hào)線優(yōu)先：模擬小信號(hào)、高速信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)和同步信號(hào)等關(guān)鍵信號(hào)優(yōu)先布線 ； 密度優(yōu)先原則：從單板上連接關(guān)系最復(fù)雜的器件著手布線。從單板上連線 最密集的區(qū)域開(kāi)始布線 。 元件布局時(shí)，應(yīng)適當(dāng)考慮使用同一種電源的器件盡量放在一起，以便于將來(lái)的電源分割。 現(xiàn)在的芯片引腳越來(lái)越多，越來(lái)越密。如果集成芯片相距過(guò)于親密，就會(huì)有很大可能無(wú)法將它們的引線輕松的引出布線，往往是越到后來(lái)布線越難。因此，在布置任何元器件的時(shí)候，都需要盡可能在它們之間留下至少350mil的距離，對(duì)于引腳多的芯片，留的空間需要更大。 電解電容充當(dāng)瞬態(tài)電流的電荷儲(chǔ)存器，以最大程度地降低電源上的低頻噪聲，而低電感陶瓷電容用于降低高頻噪聲。另外，鐵氧體磁珠是可選的，但會(huì)增加高頻噪聲隔離和去耦。 去耦電容必須盡可能靠近器件的電源引腳放置。這些電容應(yīng)通過(guò)過(guò)孔或短走線連接到低阻抗接地平面的較大區(qū)域，以最大程度地減少附加串聯(lián)電感。 較小電容（通常為0.01μF至0.1μF）應(yīng)盡可能靠近器件的電源引腳放置。當(dāng)器件同時(shí)有多個(gè)輸出切換時(shí)，這種布置可防止運(yùn)行不穩(wěn)定。電解電容（通常為10μF至100μF）距離器件的電源 引腳應(yīng)不超過(guò)1英寸。 為使實(shí)施更輕松，可以利用器件GND引腳附近的過(guò)孔通過(guò)T型連接將去耦電容連接到接地平面，而不是創(chuàng)建走線。示例參見(jiàn)圖。

所有的文章都稱為T型布局

通常，高性能數(shù)據(jù)收集系統(tǒng)應(yīng)有四層或更多層。 頂層通常用于數(shù)字/模擬信號(hào)，而底層用于輔助信號(hào)。 第二層（接地層）充當(dāng)阻抗控制信號(hào)的參考平面，用于減少IR壓降并屏蔽頂層中的數(shù)字信號(hào)。 最后，電源平面位于第三層。 電源和接地平面必須彼此相鄰，因?yàn)樗鼈兲峁┝祟~外的平面間電容，有助于電源的高頻去耦 信號(hào)線布在電（地）層上 在多層印制板布線時(shí)，由于在信號(hào)線層沒(méi)有布完的線剩下已經(jīng)不多，再多加層數(shù)就會(huì)造成浪費(fèi)也會(huì)給生產(chǎn)增加一定的工作量，成本也相應(yīng)增加了，為解決這個(gè)矛盾，可以考慮在電（地）層上進(jìn)行布線。首先應(yīng)考慮用電源層，其次才是地層。因?yàn)樽詈檬潜Ａ舻貙拥耐暾浴?/strong> 小信號(hào)放大器的電源布線需要地銅皮及接地過(guò)孔隔離，避免其它EMI干擾竄入，進(jìn)而惡化本級(jí)信號(hào)質(zhì)量。 為了減少線間串?dāng)_， 應(yīng)保證線間距足夠大， 當(dāng)線中心間距不少于 3 倍線寬時(shí)，則可保持 70%的電場(chǎng)不互相干擾， 稱為 3W 規(guī)則。如要達(dá)到 98%的電場(chǎng)不互相干擾，可使用 10W 的間距。 在距離PCB板邊緣1mm以內(nèi)和安裝孔周圍1mm范圍內(nèi)不允許布線; 電源線和地線應(yīng)呈放射狀排列，信號(hào)線不應(yīng)回環(huán)。

審核編輯：黃飛