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三星電子硅谷實驗室啟動3D DRAM研究,布局下一代芯片技術

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-01-29 11:29 ? 次閱讀

三星電子已在美國硅谷設立R&D實驗室,專精于研發下一代3D DRAM芯片

此實驗室隸屬硅谷Device Solutions America(DSA)旗下,負責管理韓國科技巨頭在美的半導體產業,并助推新世代DRAM產品研發。憑借去年九月發布業界容量最大的32 Gb DDR5 DRAM芯片,運用12nm制程生產,預計產出容量高達1 TB的內存產品,為三星穩固DRAM技術的市場領先地位。

值得強調的是,Gb是DRAM存儲密度單位,非GB;常見的內存卡容量通常為8GB至32GB,而服務器級內存亦有128GB,均由不同數量DRAM構成。如美光官網所示,DDR5 SDRAM產品為16Gb和24Gb兩種規格,三星官網上線的則全數為16Gb規格,SK Hynix主營之品同樣為16Gb。

受早前全球首次市場化的3D垂直結構NAND(3D V-NAND)的成功案例啟發,三星電子致力于主導DRAM 3D垂直結構研發。去年十月,“內存技術日”活動期間,三星公布將在下次10納米或以下的DRAM中導入新型3D架構,而非沿用2D平面結構,以突破3D垂直結構在縮小芯片體積同時提升性能的難度,預期一片芯片的容量增至逾百G。

此外,據述,三星去年在日本VLSI研討會上分享了關于3D DRAM研究成果論文,并揭示了3D DRAM的實際半導體呈現效果圖。

分析師預測,未來數年間,隨著3D DRAM市場的高速增長,至2028年時該市場規模將大大超過千億美元。在此領域,包括三星在內的各大內存芯片制造商正展開激烈競爭,力求引領市場新潮流。

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