什么是場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管，即場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱FET），是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。

場(chǎng)效應(yīng)管具有以下特點(diǎn)：

1.高輸入阻抗：場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端幾乎不流入電流，因此它的輸入阻抗非常高，這使得它們?cè)陔娐分胁灰资艿酵饨绺蓴_。

2.低噪聲性能：由于其高阻抗的特性，場(chǎng)效應(yīng)管在信號(hào)放大時(shí)產(chǎn)生的噪聲較小，適合用于高靈敏度和低噪聲的電路。

3.熱穩(wěn)定性好：場(chǎng)效應(yīng)管受溫度影響較小，因此在溫度變化的環(huán)境中能保持較好的工作性能。

4.安全工作區(qū)域?qū)挘簣?chǎng)效應(yīng)管沒有二次擊穿現(xiàn)象，這意味著它們?cè)陔娐分械陌踩ぷ鞣秶^寬。

場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型：

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管：簡(jiǎn)稱JFET，它通過一個(gè)p-n結(jié)來控制導(dǎo)電通道的寬度。

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管：簡(jiǎn)稱MOSFET，它使用一個(gè)絕緣層來控制導(dǎo)電通道。

這里主要介紹MOSFET。MOSFET有三個(gè)電極，分別為柵極G、源極S和漏極D，其中柵極G為控制端，源極S和漏極D為輸出端。從半導(dǎo)體的構(gòu)成方面可以分為NMOS和PMOS。這兩種MOS的電路符號(hào)如下圖所示：

PMOS的襯底為N型半導(dǎo)體，在VGS《0時(shí)，會(huì)形成P溝道，所以叫做P溝道MOS；而NMOS的襯底為P型半導(dǎo)體，在VGS》0時(shí)，會(huì)形成N溝道，所以叫做N溝道MOS。

MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的器件，主要用作可控整流、功率開關(guān)、信號(hào)放大等，應(yīng)用比較廣泛。MOS管的通道依靠VGS的電平，對(duì)于NMOS而言，VGS 》0時(shí)，NMOS導(dǎo)通，否則NMOS截止；對(duì)于PMOS而言，VGS《0，PMOS導(dǎo)通，否則截止。

▲ MOS場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)