據存儲網絡行業協會（SNIA）專家預測，21世紀20年代后期預計將出現持久內存（PMEM）顛覆，這一新興技術或將替代DRAM等現有的儲存技術。

值得注意的是，持久內存是一種內存與外部存儲器的結合體，具備迅速持久化特性，對于硬盤讀寫次數頻繁引發性能瓶頸問題，存在突破解決之道。

SNIA專家Arthur Sainio、Tom Coughlin和Jim Handy表示，以SK海力士以及美光開發的鉿鐵電隨機存取內存為例，其表現出了超越現代DRAM的速度，然而最終誰將會成為主導這種新興技術的競爭者，仍有待觀察，而最重要的問題在于，暫時沒有明確跡象表明何時何地可以實現DRAM的替換。

此外，鐵電隨機存取內存憑借其高速寫入周期，成為眾多強勁競爭者中的佼佼者。其中包括多種新型存儲器技術如磁阻式隨機存取內存（MRAM）、鐵電隨機存取內存 （FeRAM） 和可變電阻式存儲器（ReRAM）等，它們都在爭取取代SRAM、NOR閃存和DRAM等當前標準。

盡管MRAM在短時間內尚未展現出足以與DRAM分庭抗禮的閱讀速度，但專家聲稱其擁有巨大潛力，未來仍有望提升。配合新型技術——自旋軌道力矩（spin-orbit torque）和電壓調控磁各向異性磁隨機存儲器，有望進一步縮短MRAM的寫入延遲時間，為其成就要素增添籌碼。

MRAM磁阻式隨機存取內存具有非易失性，從上世紀90年代開始就受到矚目。其支持者稱，該技術具備接近SRAM的性能、閃存般的非揮發特性以及DRAM級別的容量密度和使用壽數。

同時，鐵電隨機存取內存的表現亦不遜色，既有SDRAM的隨機讀寫能力，又能像NVME那樣實現非揮發性特性。而ReRAM可變電阻式存儲器則屬于新型非易失性存儲器，和MRAM一樣，屬于新一代存儲器的代表之一。