雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象，特別是在PN結(jié)二極管和各種類型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超過(guò)一定的臨界值時(shí)，會(huì)突然有大量電流流過(guò)原本應(yīng)當(dāng)阻止電流流動(dòng)的PN結(jié)。這種不受控制的電流流動(dòng)會(huì)導(dǎo)致器件損壞，除非通過(guò)外部電路限制電流。

當(dāng)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的漏源電壓超過(guò)其絕對(duì)最大額定值BVDSS時(shí)，器件將發(fā)生擊穿。在高電場(chǎng)作用下，自由電子獲得加速并攜帶足夠能量，引發(fā)碰撞電離，這個(gè)過(guò)程導(dǎo)致電子-空穴對(duì)的生成。

隨著這些新生成的載流子在電場(chǎng)中被加速并獲得能力產(chǎn)生更多電子-空穴對(duì)，載流子數(shù)量以雪崩效應(yīng)的形式急劇增加，這一現(xiàn)象被稱作“雪崩擊穿”。

在這期間，與MOSFET內(nèi)部寄生二極管的正常電流方向相反的電流被稱為“雪崩電流IAS”，這種電流可能對(duì)器件造成損壞，因此在器件設(shè)計(jì)和電路應(yīng)用中需要特別注意防止雪崩擊穿的發(fā)生。

雪崩擊穿的特點(diǎn)包括：

電壓閾值：每個(gè)PN結(jié)都有一個(gè)特定的擊穿電壓，當(dāng)外加電壓超過(guò)這個(gè)值時(shí)，雪崩擊穿可能發(fā)生。

溫度依賴性：隨著溫度的升高，雪崩擊穿電壓通常會(huì)降低，因?yàn)楦叩臏囟纫馕吨嗟妮d流子和更大的載流子運(yùn)動(dòng)性。

載流子倍增：雪崩擊穿涉及載流子的倍增過(guò)程，其中每個(gè)載流子都有可能通過(guò)碰撞電離產(chǎn)生新的載流子。

破壞性：如果不加以控制，雪崩擊穿會(huì)導(dǎo)致器件損壞，因?yàn)樗鼤?huì)引起大量的電流流過(guò)器件，產(chǎn)生過(guò)熱。