電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）早在2021年，接任英特爾CEO不久的Pat Gelsinger就提出了IDM 2.0的策略，更是扔出了四年內(nèi)跨越五個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)這個(gè)大目標(biāo)。由于曾經(jīng)10nm多次延期的慘痛經(jīng)歷，不少人下意識認(rèn)為這樣的目標(biāo)似乎并不靠譜。

然而在英特爾頻繁地進(jìn)行業(yè)務(wù)調(diào)整，在各地政府的支持下加大晶圓廠的建設(shè)，并順利推出了Intel 7和Intel 4兩大關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品后，似乎四年五個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃一切進(jìn)展順利，也在穩(wěn)步地進(jìn)行。

在近期舉辦的IFS Direct Connect大會上，英特爾正式將晶圓代工業(yè)務(wù)重新命名為Intel Foundry，并稱其為首個(gè)為AI時(shí)代設(shè)計(jì)的系統(tǒng)晶圓代工廠。英特爾也隨之公布了2027年前會繼續(xù)新增的更多工藝節(jié)點(diǎn)，同時(shí)立下目標(biāo)，在2030年成為全球第二的晶圓代工廠。

14A：首個(gè)高NA EUV***節(jié)點(diǎn)

隨著EUV***得到廣泛使用，英特爾已經(jīng)進(jìn)入了全面推進(jìn)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的節(jié)奏。即便是剛推出不算久的Intel 7，也在此次被英特爾列為成熟工藝節(jié)點(diǎn)。而在先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)上，英特爾已經(jīng)規(guī)劃好了Intel 3、Intel 18A和14A的后續(xù)路線圖。

Intel Foundry工藝路線圖 / 英特爾

在開始大規(guī)模使用EUV機(jī)器的Intel 3工藝上，英特爾將在2025年推出首個(gè)使用TSV/Foveros Direct的Intel 3-T節(jié)點(diǎn)，以及特性增強(qiáng)的Intel 3-E節(jié)點(diǎn)（支持高電壓等）。最后，基于Intel 3-T的設(shè)計(jì)，英特爾將首度推出新節(jié)點(diǎn)中的第一個(gè)高性能節(jié)點(diǎn)，Intel 3P-T，相較普通的Intel 3-T，Intel 3P-T的性能應(yīng)該會有5%到10%的增強(qiáng)。

而在英特爾18A上，正如之前公布的一樣，盡管首臺高NA EUV***主要組件已經(jīng)送達(dá)英特爾的晶圓廠內(nèi)，但18A并不會是首個(gè)用上該天價(jià)設(shè)備的工藝。與此同時(shí)，英特爾也將在2025年推出Intel 18A的高性能節(jié)點(diǎn)，Intel 18A-P。

畢竟英特爾強(qiáng)調(diào)18A會成為他們新一代的長壽工藝，推出高性能節(jié)點(diǎn)也在意料之中，未來估計(jì)會有不少服務(wù)器芯片都基于該節(jié)點(diǎn)打造，比如已經(jīng)成功流片的下一代至強(qiáng)CPU Clearwater Forest，以及側(cè)重AI性能的Panther Lake處理器。

英特爾表示在Intel 18A上，將用上他們所有最新的技術(shù)，包括PowerVia、RibbonFET、EMIB和Foveros Direct。不過此次英特爾并沒有公開英特爾18A的TSV版本，或許相關(guān)的3D堆疊技術(shù)在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上仍在進(jìn)行攻關(guān)。

最后則是英特爾試圖重回半導(dǎo)體制造領(lǐng)先定位的殺手锏，Intel 14A。在Intel 14A工藝上，英特爾將首度用到高NA EUV***，并將于2026年末開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。除此之外，英特爾也將提供特性增強(qiáng)的Intel 14A-E節(jié)點(diǎn)，將于2027年開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

作為率先使用高NA EUV***的工藝，無疑14A才是英特爾試圖找回半導(dǎo)體制造領(lǐng)導(dǎo)地位的王牌。該工藝將在俄勒岡州進(jìn)行開發(fā)，首批芯片也將在這里投產(chǎn)。不過英特爾并未公開任何Intel 14A用到的技術(shù)信息，比如是否會用到RibbonFET和PowerVia的迭代版本等。

高塔和聯(lián)電，兩大合作工藝節(jié)點(diǎn)

盡管英特爾收購高塔半導(dǎo)體的計(jì)劃已經(jīng)告吹，但兩者之間的合作卻并未因此終止。去年9月5日，英特爾宣布與高塔半導(dǎo)體達(dá)成合作，將提供半導(dǎo)體代工服務(wù)以及300mm晶圓的制造產(chǎn)能，用于幫助高塔半導(dǎo)體服務(wù)全球客戶，這樣一來高塔半導(dǎo)體也得以使用英特爾在美國新墨西哥州Fab11X的晶圓廠設(shè)備。

這次合作也不是英特爾單方面的投入，高塔半導(dǎo)體也會投資3億美元用于該廠的設(shè)備和固定資產(chǎn)，從而為高塔半導(dǎo)體未來提供超過60萬曝光層的月產(chǎn)能，助力其滿足模擬處理相關(guān)客戶的需求。不過此次投資的并非先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)，而是成熟的65nm工藝，主要用于打造高塔半導(dǎo)體差異化的電源管理芯片和RF SOI解決方案，據(jù)悉該節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)在今年進(jìn)行全面的工藝流程驗(yàn)證。

同樣與英特爾達(dá)成合作的還有聯(lián)電，今年1月25日，聯(lián)電和英特爾共同宣布，雙方將合作開發(fā)12nm的工藝平臺，用于應(yīng)對移動、通信基建和網(wǎng)絡(luò)等高增長市場，這一新的工藝節(jié)點(diǎn)將在英特爾位于亞利桑那州的三個(gè)晶圓廠進(jìn)行開發(fā)和制造，預(yù)計(jì)2027年開始量產(chǎn)。考慮到該節(jié)點(diǎn)獨(dú)立于英特爾提供的其他成熟節(jié)點(diǎn)，由此看來英特爾并沒有打算在該節(jié)點(diǎn)上吃老本，而是選擇與聯(lián)電借助現(xiàn)有的DUV設(shè)備打造新的工藝節(jié)點(diǎn)。

臺積電的大客戶，都成了英特爾代工的站臺者

在本次大會上，英特爾請來了不少行業(yè)大咖為其站臺，包括OpenAI CEO Sam Altman、微軟CEO Satya Nadella，以及來自聯(lián)發(fā)科、Arm、博通，以及新思、Cadence、西門子和Ansys四大EDA巨頭的高管。

其中微軟、聯(lián)發(fā)科都已經(jīng)確定與英特爾達(dá)成了代工合作，而Arm以及一眾EDA廠商，都已經(jīng)在為其提供EDA/IP支持。由此看來，英特爾是鐵了心地想要超過臺積電，這才會持續(xù)挖掘臺積電的大客戶，哪怕是AMD、英偉達(dá)，也在英特爾的潛在合作范圍內(nèi)。

在為客戶提供的代工工藝上，英特爾主打Intel 3、Intel 18A和Intel 14A這三個(gè)先進(jìn)工藝，以及Intel 16這一成熟工藝。另一個(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是英特爾提供的先進(jìn)封裝能力，在先進(jìn)封裝產(chǎn)能有所欠缺的當(dāng)下，即便廠商不愿意臨時(shí)更換晶圓廠，但交由臺積電生產(chǎn)芯片，再給英特爾來完成封裝也是可行的。

據(jù)臺灣媒體報(bào)道，由于臺積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能不足，英偉達(dá)已經(jīng)把英特爾列為備選先進(jìn)封裝方案供應(yīng)商，最快將于進(jìn)來了第二季度投入生產(chǎn)，月產(chǎn)能可達(dá)5000片。不過目前臺積電所能提供的先進(jìn)封裝產(chǎn)能已經(jīng)得到了大幅改善，今年首季月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將達(dá)到5萬片，所以主要貢獻(xiàn)者依然是臺積電，但英特爾的出現(xiàn)無疑讓AI芯片的供應(yīng)得到了緩解，甚至雙方同時(shí)產(chǎn)能爬坡下，或許能進(jìn)一步打破供應(yīng)僵局。

寫在最后

英特爾CEO Pat Gelsinger對Intel Foundry的團(tuán)隊(duì)似乎充滿了信心，至少照目前的狀態(tài)來看，生產(chǎn)制造的計(jì)劃都符合預(yù)期。但從技術(shù)和商業(yè)的角度來看，這還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能代表結(jié)果。首先，對于芯片設(shè)計(jì)者來說，他們在評估工藝的時(shí)候會更加謹(jǐn)慎，尤其是對比不同晶圓代工廠之間的PPA、良率和產(chǎn)能等。而在商業(yè)上，英特爾還需要取得一定程度的信任，在某個(gè)大客戶的產(chǎn)品上獲得一次不小的成功，這樣才有可能吸引更多的客戶。