柵極浮空，顧名思義，就是 MOS 管的柵極不與任何電極相連，處于懸浮狀態。在這種狀態下，柵極電壓為零，MOS 管的導通特性會發生變化（當 Vg（柵極電壓）輸入高電平時，N 管會導通，使得 P 管的柵極為低，從而讓 P 管的 DS（漏源）導通。相反，當 Vg 為高阻態時，Vout（輸出電壓）輸入不定，檢查發現 P 管的柵極電壓變化不定）

但是，并非所有 MOS 管的柵極都不能浮空，這要取決于具體的應用場景和需求。

MOS管的柵極不能浮空

MOS管經常用于電路的開關控制，通過改變柵極(gate)的電壓來使漏級(drain)和源級(source)導通或截斷。下面就是一個常見的開關電路。

Vg輸入高時，N管會導通，使得P管的柵極為低，P管的DS導通。

一次發現奇怪的現象，Vg為高阻態時，Vout輸入不定，檢查發現P管的柵極電壓變化不定。仔細檢查發現R2虛焊，從而導致了N管的柵極浮空，把R2焊好，問題解決。

因此，MOS管的柵極不能浮空。P管應該有一個上拉電阻，對應的，N管應該有一個下拉電阻。

MOS管柵極浮空現象的影響

1.影響 MOS 管的開關速度：增加 MOS 管的輸入電容，降低其開關速度。

2.增加功耗：MOS 管的漏極和源極之間的電流受到干擾，導致器件功耗增加。

3.影響信號傳輸質量：柵極浮空可能導致信號傳輸受到干擾，降低信號的質量。

4.觸發誤動作：可能導致 MOS 管在不應該導通的時候誤觸發，影響電路的穩定性。

MOS 管柵極浮空現象的解決方法：

1.增加保護電阻：為了防止靜電干擾對 MOS 管柵極產生影響，可以在 MOS 管的柵極與電源之間串聯一個保護電阻。這樣，當靜電干擾產生時，保護電阻可以將大部分干擾電流導向地，保證 MOS 管柵極電壓的穩定。

2.低寄生電容影響：為了減小寄生電容對 MOS 管柵極電壓的影響，可以采用以下方法：

a. 選擇具有較低寄生電容的 MOS 管；

b. 減小 MOS 管的尺寸；

c. 將 MOS 管的源極與地之間接一個電容，以減小寄生電容的影響。

3.優化接地處理：在電路設計中，應保證接地系統的穩定性，采用單點接地方式，并確保接地電阻足夠小。此外，可以采用屏蔽技術，將 MOS 管隔離于干擾源之外，減小電磁干擾對柵極電壓的影響。