雙向可控硅的工作原理

1.雙向可控硅的伏安特性

雙向可控硅的伏安特性曲線，將此圖與單向可控硅特性曲線比較，可看出雙向可控硅的特性曲線與單向可控硅類似，只是雙向可控硅正負電壓均能導通，所以第三象限曲線與第一象限曲線類似，故雙向可控硅可視為兩個單向可控硅反相并聯，雙向可控硅的A、一A的擊穿電壓也不同，即可看出正負半周的電壓皆可以使雙向可控硅導通。一般使雙向可控硅截止的方法與單向可控硅相同，即設法降低兩陽極間的電流到保持電流以下，雙向可控硅即截止。

雙向可控硅的伏安特性曲線圖

2.雙向可控硅的觸發

雙向可控硅的觸發與單向可控硅相似，可用直流信號，交流相位信號與脈沖信號來觸發，所不同的是UA-Az為負電壓時，仍可觸發雙向可控硅。

3.雙向可控硅的相位控制

雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類似，但因雙向可控硅能雙向導通，在正負半周均能觸發，可作為全波功率控制之用。因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優點，更方便交流功率控制。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在交流電的正、負半周，從規定時刻(通常為零值)，開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角αz晶閘管導通期間所對應的電角度叫導通角0。在右圖(a)中，適當調整觸發電路的RC時間常數即可改變它的控制角。右圖(b)(c)分別是控制角為30°和導通：角150°時的UAi-z及負載的電壓波形。一般雙向可控硅所能控制的負載遠比單向可控硅小，大體上而言約在600 V，40A以下。

雙向可控硅相位控制電路

雙向可控硅的產品分類

可控硅有多種分類方法。

（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。