三星正著手采用MUF技術來提升其DRAM性能。據TheElec消息報道,近期該公司針對一款3D堆棧內存進行了MR MUF工藝測試,盡管此項技術在吞吐量上有所提高,但其物理特性卻有所下降。
依照測試結果,三星認為MUF并不適應于HBM,但對于3DS RDIMM卻具有極高的適用性。目前,3DS RDIMM使用的是硅通孔(TSV)技術,主要服務于服務器領域。
MUF為一種在半導體上制作微小孔洞,同時將上下層半導體結合的技術。借助這種方式,可以將垂直排列的多個半導體緊密地連接并固定。
此前,三星已在其現有注冊雙列直插式內存模塊(RDIMM)中應用了熱壓非導電膜(TC NCF)技術;相比之下,SK海力士則偏向選用Mass Re-flow Molded Underfill(MR-MUF,即大規模重新流動模塑填充劑)以制造HBM。
值得注意的是,為防止晶圓彎曲,業內普遍認為選用MUF材質可能更為理想。據悉,SK海力士使用的就是與Namics共同研發的首選MUF化合物。然而,據知情人士透露,三星正在與三星SDI聯合嘗試開發自家的MUF化合物,且已預訂相應的模壓設備。
作為全球最大的存儲器制造商,若三星選擇采用MUF技術,無疑將會推動這一科技成為主流趨勢,從而對全球半導體材料市場產生深遠影響。不過,三星電子當前尚未公開回應此事,僅表示“無法確認內部技術戰略”。
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