近期，武漢新芯成功申報了三項備案計劃，包括高帶寬存儲器用多晶圓三維集成技術研究及其產業化、C2W混合鍵合技術研發與生產線建立以及高容值密度深溝槽電容制造流程技術研發項目。

首先，高帶寬存儲器用多晶圓三維集成技術研究及其產業化項目旨在構建多晶圓堆疊技術生產線，引進16臺生產設備實現每月至少3000片（12英寸）產量。

其次，C2W混合鍵合技術研發與生產線建立項目借助三維集成芯粒與晶圓混合鍵合（C2W）工藝平臺，提高芯片自由度和性能，改善良品率。預計該項目將帶來月產3000片（12英寸）的產出能力，同時還需增加約27臺研發和生產設備。

最后，高容值密度深溝槽電容制造工藝技術研發項目通過使用深溝槽光刻術、刻蝕術、高介電常數介質沉積和多層重布線等技術，打造高電容密度、低漏電流、高擊穿電壓且在不同頻率和電壓條件下保持穩定電容值的深溝槽電容顆粒。預計這個項目將推動我國深溝槽電容芯片自給自足，其中研發和生產設備將增加約14臺，最終實現每月產能1000片12英寸晶圓。

值得注意的是，武漢新芯在2月29日發生多項工商變更。前股東長江存儲科技控股有限責任公司撤出，取而代之的是中國互聯網投資基金（有限合伙）、中銀金融資產投資有限公司、建信金融資產投資有限公司以及農業銀行金融資產投資有限公司等新的投資者。其注冊資本規模也由約57.82億人民幣上升至約84.79億人民幣，增幅超過46.64%。同時，公司高層管理團隊也換血。