三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。
據(jù)悉，HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達(dá)1280GB/s，這一數(shù)字相較于前代產(chǎn)品有了顯著的增長(zhǎng)。同時(shí)，其產(chǎn)品容量也達(dá)到了36GB，為高性能計(jì)算應(yīng)用提供了更為強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理能力。
與三星之前推出的8層堆疊的HBM3 8H相比，HBM3E 12H在帶寬和容量上的提升幅度超過50%。這一重大進(jìn)步不僅體現(xiàn)了三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新和領(lǐng)先實(shí)力，也預(yù)示著高性能計(jì)算領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀鼮閺?qiáng)勁的發(fā)展動(dòng)力。
HBM3E 12H的發(fā)布，標(biāo)志著三星在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域的又一重大突破。通過采用先進(jìn)的12層堆疊技術(shù)，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了更高的集成度和更低的功耗，為人工智能、數(shù)據(jù)中心等高性能計(jì)算應(yīng)用提供了更為可靠和高效的硬件支持。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15885瀏覽量
182124 -
存儲(chǔ)器
+關(guān)注
關(guān)注
38文章
7633瀏覽量
166390 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
407瀏覽量
15104
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使
發(fā)表于 04-18 10:52
三星與英偉達(dá)高層會(huì)晤，商討HBM3E供應(yīng)
近期，三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門負(fù)責(zé)人兼副董事長(zhǎng)全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達(dá)公司CEO黃仁勛，在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達(dá)總部舉行了一次重要會(huì)議。此次會(huì)議聚焦于三星電
三星電子計(jì)劃新建封裝工廠，擴(kuò)產(chǎn)HBM內(nèi)存
三星電子計(jì)劃在韓國(guó)天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠，以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施，進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的
三星電子或向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)HBM
領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。 然而，對(duì)于三星
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路
近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了
三星或?qū)?b class='flag-5'>HBM產(chǎn)能目標(biāo)下調(diào)至每月17萬顆
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已對(duì)其2025年底的高帶寬內(nèi)存（HBM）最大產(chǎn)能目標(biāo)進(jìn)行了調(diào)整，下調(diào)幅度超過10%，從原先計(jì)劃的每月20萬顆減至17萬顆。這一變動(dòng)主要?dú)w因于向主要客戶的量產(chǎn)供應(yīng)
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應(yīng)對(duì)英偉達(dá)供應(yīng)延遲
近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月1
三星預(yù)測(cè)HBM需求至2025年翻倍增長(zhǎng)
三星電子近期發(fā)布預(yù)測(cè)，指出全球HBM（高帶寬內(nèi)存）需求正迎來爆發(fā)式增長(zhǎng)。據(jù)三星估算，到2025年，全球H
TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達(dá)驗(yàn)證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程，并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi（即24GB
三星電子加速推進(jìn)HBM4研發(fā)，預(yù)計(jì)明年底量產(chǎn)
三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步，據(jù)業(yè)界消息透露，該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動(dòng)第6代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三
三星否認(rèn)HBM3E芯片通過英偉達(dá)測(cè)試
近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng)，明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
三星HBM技術(shù)逆襲:NVIDIA認(rèn)證助力業(yè)績(jī)飆升
在8月1日公布的最新財(cái)報(bào)中，三星電子再次展示了其在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的強(qiáng)勁表現(xiàn)。數(shù)據(jù)顯示，三星第二季度HBM銷售額同比大幅增長(zhǎng)超過50
三星電子重組架構(gòu)，加速HBM技術(shù)創(chuàng)新
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，三星電子再次展現(xiàn)了其作為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的前瞻視野與戰(zhàn)略布局。據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星電子已正式啟動(dòng)了組織重組計(jì)劃，旨在通過整合與優(yōu)化資源，構(gòu)建一個(gè)全新的高帶寬內(nèi)
三星電子否認(rèn)HBM3e芯片通過英偉達(dá)測(cè)試
韓國(guó)新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報(bào)道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試，預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達(dá)供貨的序幕。然而，
英偉達(dá)否認(rèn)三星HBM未通過測(cè)試
英偉達(dá)公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進(jìn)行了澄清。他明確表示，英偉達(dá)仍在認(rèn)證三星提供的HBM內(nèi)存，并否認(rèn)了三星
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論