WitDisplay消息，漢陽大學(xué)于3月7日宣布，漢陽大學(xué)納米光電子學(xué)系ERICA教授Jong-in Shim和Dong-soo Shin教授、ZOGAN Semi的Woong-ryeol Ryu博士和韓國化學(xué)工業(yè)大學(xué)的Jong-hyeop Baek博士組成的團隊韓國光子學(xué)與技術(shù)研究所的光學(xué)半導(dǎo)體顯示研究部門開發(fā)出技術(shù)來克服超細 Micro LED 光效率和耐用性的挑戰(zhàn)。

通過這項研究，研究團隊同時解決了開發(fā)超高分辨率Micro LED顯示器的最大挑戰(zhàn)：20μm以下的超細氮化物半導(dǎo)體LED芯片出現(xiàn)的低功率轉(zhuǎn)換效率以及性能顯著惡化的耐用性問題隨著駕駛時間的增加。

通過引入非接觸式光致發(fā)光和拉曼光譜分析技術(shù)，研究團隊確定Micro LED芯片的技術(shù)問題是由刻蝕壁上出現(xiàn)的缺陷電荷與外延層應(yīng)力之間的相互作用引起的。在這項研究中，通過在氮化物半導(dǎo)體上外延生長氧化物半導(dǎo)體，可以控制外延應(yīng)變，使其與蝕刻壁上的缺陷電荷量無關(guān)，而蝕刻壁對工藝或操作條件敏感。

團隊開發(fā)的直徑為20μm和10μm的藍光Micro LED為水平芯片單封裝，經(jīng)認可測試實驗室測得的外量子效率（EQE）分別高達53%和45%，即使在1A/cm2的低電流范圍，展現(xiàn)了世界上最好的品質(zhì)。（圖1）。此外，即使在沒有散熱的加速耐久性測試（100A/cm2，超過20小時）中，也證實了優(yōu)異的穩(wěn)定性，性能也沒有變化。（圖2）。

Jong-in Shim表示：“通過這項新開發(fā)的技術(shù)，我們不僅重新建立了作為下一代顯示器的核心半導(dǎo)體元件而備受關(guān)注的Micro LED的工作原理，而且還展示了世界一流的技術(shù)，我認為這將為確保國際競爭力做出重大貢獻。”

這項研究是在韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部國家標準技術(shù)改進項目、光融合產(chǎn)業(yè)全球競爭力強化項目和超大型模塊化顯示技術(shù)開發(fā)項目的支持下進行的。

審核編輯：劉清