泰克云上大講堂—如何測量MOSFET柵極電荷
功率MOSFET是一種在電源管理、信號處理、汽車電子和可再生能源系統等多種應用中廣泛使用的高效半導體開關器件。其器件的開關速度受到內部電容的影響，通常在產品數據表中以Ciss（輸入電容）和Coss（輸出電容）指出，它們源自于輸入的柵極與漏極之間的電容Cgs和Cgd。除了這些電容參數之外，柵電荷（Qgs和Qgd）的測量也是評估MOSFET開關性能的一個關鍵因素。
然而在進行實際測試時，常見的測試難點有：
1. 測試的動態范圍較大，需要使用專門的測試方法和儀器來準確測量；
2. 為了確保測試結果的有效性和通用性，必須嚴格遵守JEDEC標準。
直播預告（3月22日）
本期云上大講堂，泰克高級應用工程師 林彩霞就將為大家詳細解讀如何測量MOSFET柵極電荷：
■MOSFET的評估參數簡介
■解析開關性能的重要評估參數—柵電荷
■JEDEC柵電荷測試方法&演示
審核編輯：劉清
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原文標題：3月22日|泰克云上大講堂—如何測量MOSFET柵極電荷
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發表于 04-10 14:22
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