奧地利維也納工業大學科研團隊近日研發了全新的晶體管技術——可重構場效應晶體管（RFET），致力于打造具備實時可編程能力的電路。對比之下，作為計算機中央處理器（CPU）核心組成部分的數十億個晶體管，往往被專用于某個特定功能。

因此，常規晶體管的制造及生產步驟中包含了“化學摻雜”環節，即將純半導體材料引入雜質，借此調整其電氣特性。這種摻雜方式直接影響電流流向，形成固定模式，無法進行修改。相比之下，RFET采用靜電摻雜法，成功繞開了對化學結構造成永久性傷害的問題。

通過靜電摻雜代替昂貴且繁瑣的化學摻雜后，晶體管得以實現動態的重新配置，換言之，執行多樣化的邏輯算。研究員們認為RFET堪稱電子電路與芯片設計領域的重要突破。類似于現有的半導體工業，RFET同樣基于硅和鍺兩類材質，但卻能大幅度提升能耗與效率。自2021年初起步至今，研究者已初步證實RFET能有效構建芯片內的全部基礎邏輯電路。

近期發布的研究論文揭示，RFET亦能應用于生成反相器、NAND/NOR以及XOR/XNOR等電路，而且這些電路均具備運行時動態切換工作模式的能力。