1)

柵極驅動器介紹

1）為什么需要柵極驅動器？

柵極驅動器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路，用于放大控制器的控制信號，從而實現功率器件更有效的導通和關斷。

1. 柵極驅動器的作用總結如下：

1. 將控制器的低壓信號轉化為更高電壓的驅動信號，以實現功率器件穩(wěn)定導通和關斷。

2. 柵極驅動器能提供瞬態(tài)的拉和灌電流，提高功率器件的開關速度，降低開關損耗。

3. 驅動器能夠有效隔絕高功率電路的噪聲，防止敏感電路被干擾。

4. 通常驅動器集成了保護功能，有效防止功率器件損壞。

可見，柵極驅動的使用是為了讓功率器件能更好的在系統中發(fā)揮作用。

2. 常見的功率器件有如下四種：

- Si -MOSFET耐壓在20V-650V適用于小功率系統。

- Si-IGBT耐壓大于650V，耐流能力強，適用于高壓高功率系統。

Si-MOSFET和Si-IGBT都屬與Si基的功率器件，制造工藝成熟穩(wěn)定，目前已經得到廣泛使用。

- SiC-MOSFET耐壓能力與IGBT相當，但其開關速度快，開關損耗小，更適用于高壓高功率系統。

- GaN器件目前由于工藝受限，通常耐壓在650V以下，但開關性能優(yōu)勢明顯，適用高頻高功率系統。

SiC-MOSFET和GaN器件屬于第三代寬禁帶半導體，性能較Si基器件優(yōu)勢明顯，未來應用市場廣泛。

3. 納芯微的驅動產品類別

不同的功率器件對柵極驅動要求有所不同，目前納芯微針對四種功率器件，分別開發(fā)出了與之適配的驅動產品。

表一：常見4款功率器件特性一覽

2）功率器件開關過程

柵極驅動是如何控制功率器件導通關斷的呢？下面將詳細介紹功率器件開關過程。功率器件存在等效的寄生電容，CGS, CGD，CDS。功率器件的開關過程可以等效成對寄生電容的充放電過程。

1. 導通過程

對于導通過程，驅動芯片將輸出經過內部拉電流MOS接到驅動電源，通過柵極電阻對CGS充電和CGD放電。

圖一：功率器件開關過程圖示

?(t0-t1)階段：柵極電流給 CGS充電，VGS電壓逐漸增加。此時功率器件還處于完全關斷狀態(tài)。

?(t1-t2)階段：VGS電壓升高到大于柵極閾值電壓Vth，功率器件開始導通，IDS電流隨著VGS升高而增加直到最大值。

?(t2-t3)階段：屬于Miller平臺期間，柵極電流主要給CGD放電，VDS電壓開始降低。器件進入完全導通狀態(tài)。

?(t3-t4)階段：柵極電流繼續(xù)給CGS充電，VGS逐漸上升到電源電壓，柵極電流降低為零，導通過程結束，其中，功率器件的導通損耗主要發(fā)生在t1-t3階段。

2. 關斷過程

對于關斷過程，驅動芯片將輸出經過內部灌電流MOS接到GND，通過柵極電阻對CGS放電和對CGD充電。

?(t0-t1)階段：柵極電流主要給 CGS放電，VGS電壓逐漸減小。

?(t1-t2)階段：屬于Miller平臺期間，柵極電流主要給CGD充電，同時VDS電壓開始上升，當電壓達到VDC后，Miller平臺結束。

?(t2-t3)階段：IDS電流開始降低，當VGS降低至Vth時，IDS降為零，功率器件完全關斷。

?(t3-t4)階段：柵極電流繼續(xù)給CGS放電，VGS電壓最終降低為零。關斷過程結束。

?功率器件的關斷損耗主要發(fā)生在t1-t3

綜上可知，縮減t1-t3階段時間，能夠有效降低功率器件的開關損耗。

3）常見的三種驅動芯片介紹

目前常用的驅動芯片有三種，分別是非隔離低邊驅動，非隔離半橋驅動，隔離驅動。

1. 對于非隔離低邊驅動，只能用于參考是GND的功率器件，可以實現雙通道或單通道驅動。非隔離驅動應用比較簡單，只需要單電源供電即可。主要用于低壓系統中，如AC/DC、電動工具，低壓DC/DC等。目前納芯微有非隔離低邊驅動芯片NSD1026V和NSD1015等。

圖二：非隔離底邊驅動功能框圖

2. 非隔離半橋驅動用于帶半橋的功率系統中。高低邊的耐壓通常采用電平轉換或隔離，耐壓在200V-600V范圍。為了防止出現橋臂直通，半橋驅動都帶有互鎖功能。在系統應用中，通常采用單電源加自舉供電，主要應用在低壓或高壓系統中，如AC/DC、電機驅動，車載DC/DC等。目前納芯微有半橋驅動芯片NSD1624，NSD1224等。

圖三：非隔離半橋驅動功能框圖

3. 隔離驅動，通過內部隔離帶，將高壓和低壓進行物理隔離。隔離驅動應用靈活，有單通道和雙通道隔離驅動，可以用于低邊，高邊或半橋應用等。為了在系統中實現原副邊隔離，高壓側需要采用隔離電源供電，供電系統相對復雜。隔離驅動主要用于高壓系統中，如電驅，光伏逆變器，OBC等。目前納芯微有雙通道隔離驅動NSI6602，單通道隔離驅動NSI6601/NSI6601M，光耦兼容的隔離單管驅動NSI6801，智能隔離驅動NSI6611/NSI68515等。

圖四：隔離驅動功能框圖

2）

隔離方案介紹

1）為什么需要隔離？

在一個高壓功率系統中，通常存在高壓與高壓之間的隔離，高壓與低壓之間的隔離。那為什么需要隔離驅動？一是為了避免高壓電對人體產生傷害，通過隔離以滿足安全標準。第二是保護控制系統，免受雷擊、高壓瞬變等造成的破壞。第三消除接地環(huán)路，減小高壓側對低壓側干擾。第四實現電壓或電流的變化及能量的傳遞。

2）常見的隔離方案介紹

目前有三種常用的隔離方案，第一種光耦隔離。通過發(fā)光二極管和光電晶體管實現信號傳輸。優(yōu)點是成本低。缺點是抗共模干擾能力弱，溫度范圍受限，使用壽命短。第二種隔離方案是磁隔離方案，芯片內部集成微型變壓器和電子電路，從而實現信號傳輸。磁隔離芯片的優(yōu)點是，壽命長，使用溫度范圍寬，CMTI能力強，其缺點是工藝復雜，成本高，EMI問題突出。第三種隔離方案是電容隔離，通過隔離電容和電子電路實現信號傳輸。通常采用二氧化硅作為絕緣材料。容隔的優(yōu)點是成本低，隔離壽命長，應用的溫度范圍寬，CMTI能力強。納芯微采用電容的隔離方案。

3）納芯微隔離方案介紹

納芯微的隔離驅動通常具有兩個Die, 分別為用于輸入端的原邊Die和輸出側的副邊Die。Die與Die中間存在物理隔離。Die上采用了2個隔離電容串聯，從而實現雙重絕緣功能。如果其中一顆Die出現了EOS失效，該驅動芯片仍然能夠維持基本絕緣。兩個隔離電容的頂基板和底基板之間采用SiO2作為絕緣材料，具有材料性能穩(wěn)定，芯片一致性好，隔離壽命長等優(yōu)點。兩個隔離電容的頂基板通過金屬線先相連，用于實現信號傳輸。納芯微的隔離驅動能夠實現12kV的浪涌電壓，和8kV瞬態(tài)絕緣電壓測試，遠超高壓系統的絕緣要求。

圖五：納芯微雙電容隔離方案

Die與Die之間的通信采用了差分OOK調制方案，通信穩(wěn)定可靠。輸入信號通過高頻調制后經過隔離電容從原邊Die傳輸到高壓側Die，其中調制頻率在百兆赫茲以上。在差分信號的輸入端增加了專有CMTI模塊電路，從而使芯片的CMTI能力更強，能達到150V/ns，對于高dv/dt的功率系統，芯片仍然穩(wěn)定工作，不會出現發(fā)波異常。

圖六：差分OOK信號調制

審核編輯：劉清