根據湖北九峰山實驗室發布，光刻膠作為半導體制造的重要材料，其質量與性能直接決定了集成電路的電磁性質、成品率以及可靠性。然而，由于光刻膠技術要求較高，市場上能滿足各種生產條件且性能穩定的產品寥寥無幾。

隨著半導體制造工藝節點不斷發展至100納米甚至更小的10納米級別，如何制作出尺寸精度高、表面特征優秀、線邊緣粗糙度低的光刻圖形已逐漸成為整個行業面臨的挑戰。

為了解決上述難題，九峰山實驗室與華中科技大學聯合組建科研團隊，成功攻克了“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”技術。

這項研究基于獨特的化學結構設計，采用兩種特定的光敏感單元制備出了光刻膠，所得圖像形貌與線邊緣粗糙度優秀，space圖案寬度標準差達到最低水平（約為0.05），優于多數商用光刻膠，而且在光刻顯影各個環節中的操作時間均符合半導體生產對于生產效率的嚴格要求。

此次科研成果有可能為光刻制造領域提供新的思路，同時也為EUV光刻膠的研發奠定了技術基礎。該研究論文題為“Dual nonionic photoacids synergistically enhanced photosensitivity for chemical amplified resists”，于2024年2月15日在國際頂尖期刊Chemical Engineering Journal（IF=15.1）發表。

該研究獲得了國家自然科學基金與973計劃的資金支持，來自華中科技大學光電國家研究中心的朱明強教授為第一作者，湖北九峰山實驗室工藝中心的柳俊教授和向詩力博士等參與撰稿。

在此次研究過程中，他們將這項擁有獨立版權的光刻膠系統在生產線進行了全方位的工藝驗證，并且對各項技術指標進行了細致優化，實現了從技術創新到實際應用的全過程。