據天眼查披露,中芯國際集成電路制造(北京)有限公司近期獲得了一項名為“半導體器件及其形成方法”的專利用于2024年3月26日,授權公告碼為CN111900088B,申請日期為2019年5月5日。
該發明提出一種制備半導體器件的新方法,首先需要在基板上制備劃分明確且排列整齊的鰭部;之后在基板上構建覆于鰭部之上的偽柵結構;再制備并在偽柵結構上方安裝一層第一層間介電層,此層上表面比偽柵結構低;接著需確定切割開口的形狀和位置;最后用腐蝕的方式逐漸揭露襯底層,形成指定大小的切割口;然后制在第一層間介電層之上覆蓋上一層第二層間介電層,以填充剪切口,使其頂部與偽柵結構達到平整狀態;這項發明能顯著提高半導體器件的工作穩定性。
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