近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。

模塊簡介

IVTM12080TA1Z模塊內(nèi)部拓?fù)錇槿嗳珮?，采?顆1200V 80mΩ SiC MOSFET芯片，雜散電感小，具有開爾文源極引腳，能有效抑制驅(qū)動尖峰。同時，該模塊為頂部散熱封裝，尺寸緊湊，能顯著提升應(yīng)用系統(tǒng)的功率密度，簡化熱管理設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)應(yīng)用的可靠性。

圖1：IVTM12080TA1Z模塊拓?fù)洹⒁_、封裝

圖2：IVTM12080TA1Z模塊的AQG-324可靠性試驗(yàn)報(bào)告

應(yīng)用優(yōu)勢

對比傳統(tǒng)的TO247封裝器件方案，采用IVTM12080TA1Z模塊的方案，具有下列優(yōu)勢：

1、系統(tǒng)更緊湊：該模塊尺寸僅為42mm*23mm*6mm，模塊體積對比6顆TO247封裝器件降低50%，占用PCB面積減少30%。

2、散熱能力強(qiáng)：該模塊采用的高導(dǎo)熱性陶瓷基板（AlN），能將熱阻降低50%（管芯到散熱器之間）；同時模塊內(nèi)集成了熱敏電阻（NTC），能更靈敏地檢測管芯基板（DBC）溫度，為熱管理提供可靠的支持。

3、可靠性高：該模塊內(nèi)芯片布局更緊湊，大幅降低了功率回路中的寄生電感，這又進(jìn)一步降低了MOSFET的Vds尖峰、驅(qū)動電壓震蕩、開關(guān)損耗和EMI噪聲。

4、安全性好：該模塊封裝的最小爬電距離為4.5mm（從端子到端子），不論在400V或800V系統(tǒng)工作，都無需額外電氣隔離保護(hù)。

5、組裝成本低：該模塊具有隔離型頂部散熱層，無需外部隔離保護(hù)，減少了組裝時間和成本。

應(yīng)用領(lǐng)域

這款1200V碳化硅（SiC）模塊產(chǎn)品IVTM12080TA1Z，具有封裝緊湊，雜散電感小，散熱能力強(qiáng)等特點(diǎn)，特別適合高功率密度的應(yīng)用場景，比如：

車載電動壓縮機(jī)

車載充電機(jī)

大功率伺服電機(jī)驅(qū)動

工業(yè)機(jī)器人

瞻芯電子采用IVTM12080TA1Z模塊產(chǎn)品開發(fā)了一款高功率密度參考設(shè)計(jì)：11kW三相電機(jī)驅(qū)動方案，如下圖，歡迎聯(lián)系我們申請樣機(jī)測試。

圖3：11kW三相電機(jī)驅(qū)動樣機(jī)

圖4：11kW三相電機(jī)驅(qū)動電路圖

審核編輯：劉清