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瞻芯電子推出一款車規(guī)級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

瞻芯電子 ? 來源:瞻芯電子 ? 2024-04-07 11:37 ? 次閱讀
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近日,瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。

模塊簡介

IVTM12080TA1Z模塊內(nèi)部拓撲為三相全橋,采用6顆1200V 80mΩ SiC MOSFET芯片,雜散電感小,具有開爾文源極引腳,能有效抑制驅(qū)動尖峰。同時,該模塊為頂部散熱封裝,尺寸緊湊,能顯著提升應用系統(tǒng)的功率密度,簡化熱管理設(shè)計,提升系統(tǒng)應用的可靠性。

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圖1:IVTM12080TA1Z模塊拓撲、引腳、封裝

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圖2:IVTM12080TA1Z模塊的AQG-324可靠性試驗報告

應用優(yōu)勢

對比傳統(tǒng)的TO247封裝器件方案,采用IVTM12080TA1Z模塊的方案,具有下列優(yōu)勢:

1、系統(tǒng)更緊湊:該模塊尺寸僅為42mm*23mm*6mm,模塊體積對比6顆TO247封裝器件降低50%,占用PCB面積減少30%。

2、散熱能力強:該模塊采用的高導熱性陶瓷基板(AlN),能將熱阻降低50%(管芯到散熱器之間);同時模塊內(nèi)集成了熱敏電阻(NTC),能更靈敏地檢測管芯基板(DBC)溫度,為熱管理提供可靠的支持。

3、可靠性高:該模塊內(nèi)芯片布局更緊湊,大幅降低了功率回路中的寄生電感,這又進一步降低了MOSFET的Vds尖峰、驅(qū)動電壓震蕩、開關(guān)損耗和EMI噪聲。

4、安全性好:該模塊封裝的最小爬電距離為4.5mm(從端子到端子),不論在400V或800V系統(tǒng)工作,都無需額外電氣隔離保護。

5、組裝成本低:該模塊具有隔離型頂部散熱層,無需外部隔離保護,減少了組裝時間和成本。

應用領(lǐng)域

這款1200V碳化硅(SiC)模塊產(chǎn)品IVTM12080TA1Z,具有封裝緊湊,雜散電感小,散熱能力強等特點,特別適合高功率密度的應用場景,比如:

車載電動壓縮機

車載充電機

大功率伺服電機驅(qū)動

工業(yè)機器人

瞻芯電子采用IVTM12080TA1Z模塊產(chǎn)品開發(fā)了一款高功率密度參考設(shè)計:11kW三相電機驅(qū)動方案,如下圖,歡迎聯(lián)系我們申請樣機測試。

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圖3:11kW三相電機驅(qū)動樣機

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圖4:11kW三相電機驅(qū)動電路圖



審核編輯:劉清

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原文標題:瞻芯電子推出車規(guī)級1200V SiC三相橋塑封模塊,尺寸更緊湊,應用更可靠

文章出處:【微信號:瞻芯電子,微信公眾號:瞻芯電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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