據韓國媒體Business Korea 報道，業內領頭羊SK海力士與三星電子計劃年內分別實現1c納米DRAM內存的商業化生產。

步入20至10納米（nm）工藝階段后，業界通常用數字+后綴的方式來標記內存代際。因此，1c nm便相當于美光的1-gamma nm概念，代表著該領域內的第六個10+ nm工藝代際。同時，三星對之前的1b nm的命名為“12nm級別”。

三星近期在Memcon 2024行業會議中聲稱，計劃于今年底以前實現1c nm工藝的量產。另據行業消息人士透露，SK海力士已確定在第三季度實現1c納米DRAM內存的商業化生產。

SK海力士計謀搶先一步，爭取在1c nm內存獲得行業認可之后，快速滿足微軟、亞馬遜等大客戶的需求。

展望未來，三星電子和SK海力士在下一代內存市場中將增加EUV光刻的應用，以此縮減線寬、提高速度和降低功耗。

值得注意的是，美國企業美光已在1-gamma納米節點嘗試使用EUV技術并有望于2025年實現量產。另外，臺灣公司南亞正在積極研發首款DDR5內存產品，并計劃于今年推向市場。