色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

功率器件廠商IGBT收入大比拼:有人大幅備貨擴(kuò)產(chǎn),有人供過于求暴降

Tanya解說 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:劉靜 ? 2024-04-13 00:12 ? 次閱讀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)近日,國內(nèi)時代電氣、士蘭微、蘇州固锝、斯達(dá)半導(dǎo)、捷捷微電等功率器件上市公司陸續(xù)公布了2023年財報。相對其他半導(dǎo)體行業(yè)業(yè)績的普遍下滑,功率器件行業(yè)在SiC、IGBT高景氣產(chǎn)品影響下業(yè)績表現(xiàn)各家差異化比較大,有人歡喜有人愁。

電子發(fā)燒友網(wǎng)整理了7家已發(fā)布2023年業(yè)績的功率器件上市公司。數(shù)據(jù)顯示,2023年國內(nèi)功率器件的上市公司營收總體都實(shí)現(xiàn)正增長,其中銀河微電的營收是從去年的負(fù)增長轉(zhuǎn)向正增長。

功率器件廠商去年在盈利方面表現(xiàn)不太理想,歸母凈利潤普遍負(fù)增長,士蘭微、捷捷微電凈利降幅較去年有所擴(kuò)大,且蘇州固锝、新潔能的凈利由2022年的正增長轉(zhuǎn)向負(fù)增長。
wKgaomYZCU-ARw6dAABTVifGk0E967.png
此外,2023年營收出現(xiàn)負(fù)增長的僅有新潔能這一家,而且新潔能也是這七家功率器件企業(yè)中唯一營收和凈利雙重負(fù)增長的,業(yè)績表現(xiàn)相對不佳。業(yè)績表現(xiàn)較亮眼的是時代電氣和斯達(dá)半導(dǎo),它們營收和凈利均實(shí)現(xiàn)了雙重增長。

半導(dǎo)體功率器件主要包括二極管晶閘管MOSFET、IGBT、SiC等。2023年二三極管、晶體管、中低壓MOS出現(xiàn)供需失衡并大幅降價的現(xiàn)象。

目前市場增長主要依賴IGBT和SiC,根據(jù)Omdia、Yole的數(shù)據(jù),預(yù)計IGBT(含模塊)2025年市場規(guī)模將快速增至136億美元,同期SiC功率器件有望突破43億美元,2021年至2025年SiC市場表現(xiàn)高達(dá)42%的年復(fù)合增長率。下面我們重點(diǎn)分析下,國內(nèi)以IGBT或SiC器件為主的功率器件企業(yè)業(yè)績。

時代電氣:國內(nèi)高壓IGBT龍頭,功率器件收入大增69%

時代電氣是國內(nèi)高壓IGBT龍頭,在這一領(lǐng)域基本上是它一家獨(dú)大了。高壓IGBT一般指電壓大于2500V,主要應(yīng)用在高鐵、動車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。國內(nèi)功率器件廠商中,做高壓IGBT的比較少,僅時代電氣和斯達(dá)半導(dǎo)有所布局。

時代電氣建有8英寸IGBT產(chǎn)業(yè)化工廠,它的IGBT產(chǎn)品最高電壓可達(dá)6500V。時代電氣6500V供高鐵使用的IGBT與模塊的成功推出,一舉打破了國外英飛凌、三菱對高鐵這一領(lǐng)域市場的長期壟斷。

時代電氣IGBT模塊交付在軌交、電網(wǎng)領(lǐng)域市場份額大幅領(lǐng)先,占有率國內(nèi)第一。而且受益快速發(fā)展的新能源市場,時代電氣的IGBT產(chǎn)品在新能源汽車占有率也迅速提升。根據(jù)NE時代統(tǒng)計數(shù)據(jù),時代電氣2023年新能源乘用車功率模塊裝機(jī)量突破100萬套,市占率12.5%,排名國內(nèi)第三。據(jù)說,2023年時代電氣功率模塊新獲北汽、上汽等多家客戶訂單。

此外,時代電氣集中式光伏IGBT模塊市占率也在快速提升,2023年其組串式模塊實(shí)現(xiàn)批量供貨。5W IGBT制氫電源助力國內(nèi)首個萬噸級綠電制氫項目成功產(chǎn)氫。

在SiC方面,時代電氣也同樣有所布局,它有6英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)化工廠,并開發(fā)了三代產(chǎn)品,分別對應(yīng)1200V-3300V等級的軌交、電網(wǎng)市場,以及650V-1200V的新能源汽車、光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電等市場,最新消息說時代電氣的第三代1200V SiC MOSFET芯片已達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平。

2023年時代電氣營收突破218億元,同比增長20.88%;歸母凈利潤31.06億元,同比增長21.52%。其中時代電氣的半導(dǎo)體功率器件取得收入31億元,同比增長69%。新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)19億元,同比大幅增長75%,表現(xiàn)亮眼。

財報顯示,2023年時代電氣半導(dǎo)體器件銷量為414.23萬只,同比增長66.79%;庫存量僅有69.71萬只,僅同比增長10.65%。可見靠著差異化打法的時代電氣,半導(dǎo)體器件銷售暢旺,庫存水位健康。

斯達(dá)半導(dǎo):IGBT模塊收入突破33億,在大幅備貨IGBT

以“英飛凌芯片+自營封裝”模式起家的斯達(dá)半導(dǎo),近幾年在IGBT市場也成長迅猛。財報顯示,2023年斯達(dá)半導(dǎo)營收36.63億元,同比增長35.39%;歸母凈利潤9.11億元,同比增長11.36%。在上述七家功率器件企業(yè)中,斯達(dá)半導(dǎo)的營收增速是最高的,表現(xiàn)出較強(qiáng)勁的增長。

斯達(dá)半導(dǎo)業(yè)績增長的動能主要來自IGBT產(chǎn)品,其9成營收都是IGBT產(chǎn)品貢獻(xiàn)的,2023年斯達(dá)半導(dǎo)的IGBT模塊產(chǎn)品共實(shí)現(xiàn)收入33.31億元,同比增長49.73%。
wKgZomYZCV-AFirUAAB-jkzo_RQ121.png
2020年斯達(dá)半導(dǎo)的IGBT產(chǎn)品收入還不到10億元,不到四年,斯達(dá)半導(dǎo)2023年IGBT就突破了33億,年復(fù)合增長率高達(dá)53.63%,一路高歌猛進(jìn)。而且IGBT的盈利空間比較大,受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下滑影響小,2023年斯達(dá)半導(dǎo)的IGBT模塊產(chǎn)品仍保持37.72%的高毛利率,而士蘭微的發(fā)光二極管傳統(tǒng)功率器件因低價內(nèi)卷嚴(yán)重,該產(chǎn)品毛利率2023年已跌為負(fù)數(shù)。

雖然斯達(dá)半導(dǎo)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)較為單一,但靠著把IGBT這一產(chǎn)品做好做領(lǐng)先,依舊賺得盆滿缽滿。2023年,斯達(dá)半導(dǎo)在海外也取得不錯的進(jìn)展,其產(chǎn)品在亞洲之外的其他地區(qū)收入同比大幅增長200.42%。據(jù)說,斯達(dá)半導(dǎo)車規(guī)級IGBT模塊在歐洲一線品牌Tier1開始大批量交付。

斯達(dá)半導(dǎo)仍非常看好2024年IGBT在海內(nèi)外市場的增長,為此它也在大幅度地備貨IGBT。財報顯示,2023年斯達(dá)半導(dǎo)IGBT模塊生產(chǎn)量為1373萬只,同比增長49.23%;IGBT模塊庫存量為129萬只,同比大幅增長230.84%。斯達(dá)半導(dǎo)表示,“2023年度公司為了更好地滿足客戶需求,對IGBT模塊進(jìn)行了合理的備貨,庫存量較上年同期有所增加。”

2023年,斯達(dá)半導(dǎo)生產(chǎn)的應(yīng)用于主電機(jī)控制器的車規(guī)級IGBT模塊持續(xù)放量,合計配套超過200萬套新能源汽車主電機(jī)控制器。2023年,斯達(dá)半導(dǎo)基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的750V車規(guī)級IGBT模塊大批量裝車。

斯達(dá)半導(dǎo)基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的1200V車規(guī)級IGBT模塊新增多個800V系統(tǒng)車型的主電機(jī)控制器項目定點(diǎn),此外斯達(dá)半導(dǎo)還新增多個使用車規(guī)級SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機(jī)控制器項目定點(diǎn),這將為斯達(dá)半導(dǎo)2024年的業(yè)績增長提供不少新動力。

士蘭微:IGBT收入同比增長140%以上,加快建設(shè)IGBT芯片、碳化硅MOS產(chǎn)能

士蘭微國內(nèi)的大型功率器件廠商之一,2022年其收入規(guī)模進(jìn)入全球前二十功率器件廠商榜單。最新的財報顯示,2023全年士蘭微實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入93.4億元,同比增長12.77%。

不過,這家國內(nèi)功率器件大廠在2023年卻意外出現(xiàn)虧損,歸母凈利潤虧損0.36億元,同比減少103.40%,這是士蘭微上市20年來的首次虧損。

士蘭微的虧損主要來自兩方面:一是士蘭微持有的其他非流動金融資產(chǎn)中昱能科技、安路科技股票價格下跌,導(dǎo)致其公允價值變動產(chǎn)生稅后凈收益-45227萬元;二是受LED芯片市場價格競爭加劇的影響,士蘭微LED芯片價格較去年年末下降10%-15%,導(dǎo)致控股子公司士蘭明芯經(jīng)營性虧損較上年度進(jìn)一步擴(kuò)大。

如果只看IGBT業(yè)務(wù),2023年士蘭微還是取得不錯成績的。財報數(shù)據(jù)顯示,2023年士蘭微IGBT器件、IGBT大功率模塊產(chǎn)品增長快速,實(shí)現(xiàn)銷售收入已達(dá)14億元,較2022年增長140%以上,業(yè)績表現(xiàn)亮眼。

據(jù)說,士蘭微用于汽車的IGBT器件(單管)已實(shí)現(xiàn)大批量出貨,且用于光伏的IGBT器件(成品)、SiC MOS器件也已實(shí)現(xiàn)批量出貨。士蘭微自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動汽車主電機(jī)驅(qū)動模塊,也已經(jīng)在比亞迪、吉利、零跑、廣汽、匯川、東風(fēng)、長安等國內(nèi)外多家客戶實(shí)現(xiàn)批量供貨。

2023年士蘭微推出了SiC和IGBT的混合并聯(lián)驅(qū)動方案。還完成了多個電壓平臺的RC-IGBT產(chǎn)品的研發(fā),該類產(chǎn)品今后將在汽車主驅(qū)、儲能、風(fēng)電、IPM模塊等領(lǐng)域中推廣使用。

盡管目前士蘭微IGBT、SiC對營收的貢獻(xiàn)不是太大,但士蘭微的發(fā)展重心開始有傾向這兩大功率器件的跡象,它正在加快汽車級IGBT芯片、SiC-MOSFET芯片的產(chǎn)能建設(shè)。士蘭微通過士蘭明鎵對SiC進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn),截至目前,士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力,預(yù)計2024年年底將形成月產(chǎn)12000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。

士蘭微重要參股公司,士蘭集科2023年加快推進(jìn)IGBT芯片產(chǎn)能建設(shè),截至2023年底,已具備月產(chǎn)2.5萬片IGBT芯片的生產(chǎn)能力。

新潔能:IGBT業(yè)務(wù)收入意外下滑33.97%,光伏儲能領(lǐng)域IGBT供過于求

新潔能是光伏儲能領(lǐng)域的國產(chǎn)IGBT單管龍頭。2023年,新潔能實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入14.77億元,同比減少18.46%;歸母凈利潤為3.23億元,同比減少25.75%。在已發(fā)布2023年業(yè)績的7家功率器件企業(yè)當(dāng)中,新潔能的業(yè)績表現(xiàn)相對不理想,營收和凈利出現(xiàn)雙雙下滑。

上述時代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)和士蘭微IGBT業(yè)務(wù)均實(shí)現(xiàn)亮眼增長,但新潔能的IGBT業(yè)務(wù)卻意外大幅下滑。財報顯示,2023年新潔能IGBT產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)銷售收入2.66億元,比去年同期下滑了33.97%,銷售占比也從2022年的22.33%下降到2023年的18.09%。

別人IGBT都在大幅增長,新潔能IGBT業(yè)務(wù)收入?yún)s下滑超3成。這主要是因?yàn)樗鼈兏髯訧GBT側(cè)重的應(yīng)用領(lǐng)域不同,新潔能的IGBT在光伏儲能領(lǐng)域應(yīng)用較多。

新潔能表示,由于2023年公司的主要下游光伏儲能客戶處于消化庫存階段,整體處于供大于求的狀態(tài)。公司積極調(diào)整結(jié)構(gòu)應(yīng)對下游變化,拓寬了更多的應(yīng)用領(lǐng)域,加大了對于變頻、小家電、工業(yè)自動化、汽車等領(lǐng)域的銷售力度,但受到2023年光伏儲能需求減弱的影響,整體IGBT產(chǎn)品的銷售仍然呈現(xiàn)下滑狀態(tài)。

2023年新潔能的第七代微溝槽高功率密度IGBT平臺的650V和1200V大飽和電流的中高頻系列產(chǎn)品已經(jīng)通過內(nèi)部測試,正在進(jìn)行客戶端導(dǎo)入測試,同系列光伏逆變應(yīng)用的業(yè)界最大電流TO-247 Plus封裝單管產(chǎn)品1200V 160A產(chǎn)品也已經(jīng)進(jìn)行客戶應(yīng)用驗(yàn)證。此外,新潔能IGBT并聯(lián)SiC二極管產(chǎn)品也已通過客戶驗(yàn)證。

IGBT并聯(lián)SiC已經(jīng)成為功率器件行業(yè)未來發(fā)展的新方向,士蘭微也在推出SiC和IGBT的混合并聯(lián)驅(qū)動方案。




聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1758

    瀏覽量

    90416
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    芯長征科技榮獲功率器件IGBT行業(yè)卓越獎

    在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎典禮”上,芯長征科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎”。經(jīng)過近兩個月的激烈競爭和嚴(yán)格評審,我們憑借在功率
    的頭像 發(fā)表于 12-10 17:28 ?357次閱讀

    igbt導(dǎo)通壓受哪些因素影響

    IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子器件,廣泛應(yīng)用于變頻器、電動汽車、太陽能逆變器等領(lǐng)域。IGBT的導(dǎo)通壓(Vce(sat))是指在IGBT
    的頭像 發(fā)表于 09-19 14:51 ?1132次閱讀

    IGBT導(dǎo)通壓和飽和壓怎么區(qū)分

    絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓特性。在電力電子領(lǐng)域,IGBT廣泛應(yīng)用于變頻器、電動汽車、太陽能逆變器等設(shè)備中
    的頭像 發(fā)表于 09-19 14:46 ?1971次閱讀

    真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT功率器件焊接

    IGBT,全稱絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT),是一種功率開關(guān)元件,綜合了電力晶體管(Giant Transistor)和電力場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)
    的頭像 發(fā)表于 08-09 16:37 ?1960次閱讀
    真空回流焊爐/真空焊接爐——<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>焊接

    igbt功率管型號參數(shù)意義

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT
    的頭像 發(fā)表于 08-08 09:11 ?1393次閱讀

    電池焊接技術(shù)大比拼:探索不同技術(shù)的獨(dú)特魅力

    在電池制造領(lǐng)域,焊接技術(shù)無疑是連接各個部件、確保電池性能穩(wěn)定與壽命延長的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著科技的進(jìn)步和電池種類的多樣化,電池焊接技術(shù)也在不斷創(chuàng)新與發(fā)展。本文將從常見的電池焊接技術(shù)入手,深入剖析各種技術(shù)的特點(diǎn)、應(yīng)用場景以及未來發(fā)展趨勢,展開一場別開生面的電池焊接技術(shù)大比拼
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:09 ?486次閱讀
    電池焊接技術(shù)<b class='flag-5'>大比拼</b>:探索不同技術(shù)的獨(dú)特魅力

    一文看懂功率半導(dǎo)體-IGBT

    共讀好書 文章大綱 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” ? ? ?? · IGBT功率器件中的“結(jié)晶” ? ? ? ?· IGBT技術(shù)不斷
    的頭像 發(fā)表于 07-21 17:43 ?1358次閱讀
    一文看懂<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體-<b class='flag-5'>IGBT</b>

    IGBT功率器件功耗

    IGBT功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率
    的頭像 發(fā)表于 07-19 11:21 ?788次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>功耗

    大圓柱電池融資和擴(kuò)產(chǎn)的消息不斷

    2024年,大圓柱電池來到了量產(chǎn)的關(guān)鍵時間節(jié)點(diǎn),來自業(yè)界的融資和擴(kuò)產(chǎn)消息也不斷傳來。
    的頭像 發(fā)表于 05-28 14:31 ?1.3w次閱讀

    功率器件IGBT及國內(nèi)外IGBT企業(yè)

    IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR
    的頭像 發(fā)表于 05-16 08:09 ?1049次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>IGBT</b>及國內(nèi)外<b class='flag-5'>IGBT</b>企業(yè)

    全球NAND Flash品牌廠商最新營收排行

    面對2023年最嚴(yán)重的供過于求局面,第四季度行業(yè)價格上漲近10%。
    的頭像 發(fā)表于 03-11 16:23 ?1178次閱讀
    全球NAND Flash品牌<b class='flag-5'>廠商</b>最新營收排行

    什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象?

    什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象? IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和
    的頭像 發(fā)表于 02-19 14:33 ?4539次閱讀

    MLCC供過于求致村田、三星業(yè)績下滑

    另據(jù)報道,截至1月底,英偉達(dá)、AMD的AI芯片供應(yīng)逐漸恢復(fù)正常,ODM廠商廣達(dá)、緯創(chuàng)、英業(yè)達(dá)等AI服務(wù)器的訂單需求恢復(fù),引發(fā)備貨多頭行為,村田、太誘、三星及國巨收益顯著。
    的頭像 發(fā)表于 02-19 14:28 ?845次閱讀
    MLCC<b class='flag-5'>供過于求</b>致村田、三星業(yè)績下滑

    igbt屬于什么器件 igbt模塊的作用和功能

     IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和雙極型晶體管的特性。
    的頭像 發(fā)表于 02-06 10:47 ?6886次閱讀

    變頻器頻繁報IGBT管壓保護(hù)是什么原因?

    功率的變頻器會對igbt的管壓進(jìn)行保護(hù),這是對變頻器控制igbt完全導(dǎo)通的一種控制,但是在運(yùn)行現(xiàn)場頻繁報這個故障,請問有哪些原因造成的?該如何解決?
    發(fā)表于 01-25 14:45
    主站蜘蛛池模板: 伊人久久大香线蕉综合网站| 国产av免费观看日本| 国产欧美一区二区三区免费| 乱码午夜-极品国产内射| 亚洲 小说 欧美 激情 另类| YY600800新视觉理论私人| 久久精品视频在线看| 小雪奶水涨翁工帮吸的推荐语录| 52色擼99热99| 精品久久综合1区2区3区激情| 入禽太深免费视频10| 91精品乱码一区二区三区| 精品午夜寂寞影院在线观看| 我的美女奴隶| 成人免费看片又大又黄| 美女的避毛| 伊人久久大香线蕉综合99| 国产人妻午夜无码AV天堂| 日本红怡院亚洲红怡院最新| 97精品视频| 久久久伊人影院| 亚洲男人天堂网| 国产精品久久久久婷婷五月色婷婷| 欧美成人亚洲高清在线观看| 在线亚洲精品国产一区麻豆| 黄色三级视频在线| 我要色导航| 俄罗斯6一9泑女网站| 破苞流血哭泣 magnet| 99国产精品久久人妻无码| 久久久精品日本一区二区三区| 学校捏奶揉下面污文h| 国产成人女人视频在线观看| 日本高清无卡码一区二区久久 | 老湿影院色情a| 一个人在线观看免费高清视频在线观看 | 中文字幕 日韩 无码 在线| 禁漫H天堂免费A漫| 亚洲欧洲日产国码中学| 国产午夜视频| 亚洲成av人影院|